| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Handhaben von Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung. Bei dem Verfahren wird das Halbleitersubstrat (1) mit einem Trägersubstrat (2) verbunden, auf dem Trägersubstrat (2) prozessiert und anschliessend wieder vom Trägersubstrat gelöst. Zur Trennung vom Trägersubstrat werden eine oder mehrere Schneiden (5) oder Spitzen parallel zu einer Oberfläche des Halbleitersubstrates (1) derart mit variierender Vorschubgeschwindigkeit in den Verbindungsbereich zwischen dem Halbleitersubstrat (1) und dem Trägersubstrat (2) eingeschoben, dass zunächst ein oder mehrere Anrisse in dem Verbindungsbereich erzeugt werden, die sich durch weiteres Einschieben der Schneiden (5) oder Spitzen vollständig im Verbindungsbereich ausbreiten und zur Trennung der beiden Substrate führen. Das Verfahren ermöglicht die einfache Handhabung von dünnen Halbleitersubstraten bei der Prozessierung und/oder Bearbeitung, ohne dass nennenswerte Abfallprodukte entstehen.</p> |
