| 摘要 |
<p>Une structure semi-conductrice comporte un substrat (corps) doté d'une pluralité de régions qui sont chacune isolées diélectriquement les unes des autres sur toutes les parois latérales et sur des parties de surfaces inférieures desdites régions, de même qu'elles sont isolées du substrat à l'exception d'une partie de la surface inférieure de chaque région qu'elles ont en commun avec le substrat. Cette structure est fabriquée à partir d'un substrat semi-conducteur dont la majeure partie est d'un même type de conductivité. Ce substrat est tout d'abord masqué afin de définir la pluralité de régions puis il est soumis à une gravure qui définit les parois latérales de chacune des régions. Les parties inférieures de chacune des parois latérales gravées sont soumises à une gravure latérale permettant de définir une surface inférieure pour chaque région, une partie de la surface inférieure de chaque région restant non gravée et en contact avec le substrat. La structure semi-conductrice ainsi produite présente la plupart des avantages d'une structure SOI classique sans présenter les inconvénients liés à l'effet de corps flottant ou à la nécessité de polariser chaque région en amenant une surface supérieure séparée en contact avec ladite région.</p> |
