| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein monolithisch integriertes Mikrowellenleiter-Bauelement zur Hochfrequenz-Überkopplung, mit einem ersten, auf einem Mikrowellenleiterchip strukturierten Mikrowellenleiter und einem zweiten, auf einem Trägersubstrat strukturierten Mikrowellenleiter, wobei die Mikrowellenleiter durch eine Chip-Durchkontaktierung miteinander kontaktiert sind. Es ist vorgesehen, dass die Mikrowellenleiter (14, 16) im Kontaktbereich (12) jeweils eine integrierte Kompensationsstruktur (42, 34, 44, 38) zur Kompensation von Reflexionen aufweisen.</p> |
