发明名称 METHOD FOR PRODUCTION OF A CAPACITOR ELECTRODE WITH A BARRIER STRUCTURE
摘要 Bei einem Verfahren zur Herstellung einer Kondensator-Elektrode (11) mit einer darunterliegend angeordneten Barrierestruktur (14.1) wird zur Herstellung der Barrierestruktur (14.1) eine Barriere-Einlagerungsschicht (16) eingesetzt und ein CMP(chemical mechanical polishing)-Prozess angewendet.
申请公布号 WO0129885(A3) 申请公布日期 2001.06.14
申请号 WO2000DE03662 申请日期 2000.10.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;BEITEL, GERHARD;SAENGER, ANNETTE;KASKO, IGOR 发明人 BEITEL, GERHARD;SAENGER, ANNETTE;KASKO, IGOR
分类号 H01L21/28;H01L21/02;H01L21/285;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/02 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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