| 发明名称 |
Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit getrennten Schaltungselementausbildungsschichten unterschiedlicher Dicke |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE19983426(T1) |
申请公布日期 |
2001.06.13 |
| 申请号 |
DE19991083426T |
申请日期 |
1999.06.03 |
| 申请人 |
ASAHI KASEI MICROSYSTEMS CO., LTD. |
发明人 |
KAWANO, MICHIHIRO |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/84;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/764 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
