发明名称 | 位相调制降低毫米波平面衍射天线近轴旁瓣的方法 | ||
摘要 | 本发明属于电子与光学交叉科学领域,涉及一种对毫米波平面天线设计方法的改进。解决离散结构造成方向图的近轴旁瓣电平升高,造成从这些旁瓣接收进噪声的问题。本发明计算天线的特征结构参数和需要进行压制的旁瓣位置和压制量;建立特征结构尺寸和位置的评价函数并对方向图进行计算分析;与已有方法相比没有能量损失。本发明是最小限度地影响天线的增益,同时降低毫米波平面衍射天线近轴旁瓣。 | ||
申请公布号 | CN1299160A | 申请公布日期 | 2001.06.13 |
申请号 | CN99125408.2 | 申请日期 | 1999.12.07 |
申请人 | 中国科学院长春光学精密机械研究所 | 发明人 | 樊仲维 |
分类号 | H01Q15/00;H01Q3/44 | 主分类号 | H01Q15/00 |
代理机构 | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人 | 梁爱荣 |
主权项 | 1、一种位相调制降低毫米波平面衍射天线近轴旁瓣的方法,其特征在于:(1)、按照位相相差2π或者2π的整数倍对具有连续位相结构的抛物面天线进行离散化处理,初步得到具有毫米波平面天线一般特征结构的参数;(2)、根据使用要求计算出需要进行压制的旁瓣位置和压制量;(3)、微量改变由步骤1得到的特征结构尺寸和位置,建立评价函数,即压制量和特征结构变量之间的解析式,采用逐次逼近的方法对方向图进行计算分析;(4)、当计算方向图的旁瓣值达到使用要求之后,此时的特征结构尺寸可降低毫米波平面天线近轴旁瓣。<!-- 1 --><dp n="c1"/> | ||
地址 | 130022吉林省长春市人民大街140号 |