| 摘要 |
Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung, bei dem eine erste Gateschicht auf erste und zweite Flächenbereich eines Halbleitersubstrats aufgebracht wird, auf der ersten Gateschicht in den zweiten Flächenbereichen eine isolierende Schicht erzeugt wird, die dort zur Isolation der ersten Gateschicht von einer weiteren Gateschicht dient, und bei dem auf den ersten und zweiten Flächenbereichen eine zweite Gateschicht aufgebracht wird, die vorzugsweise eine höhere elektrische Leitfähigkeit als die erste Gateschicht besitzt. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß die zweite Gateschicht aus einem Material hergestellt wird, das auf die isolierende Schicht aufbringbar ist, ohne diese zu verändern und daß die zweite Gateschicht in den zweiten Flächenbereichen als weitere Gateschicht unmittelbar auf die isolierende Schicht aufgebracht wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erübrigt sich eine eigene Schicht für Control Gate-Elektroden in den zweiten Flächenbereichen; die bislang zwischen ersten und zweiten Flächenbereichen, d. h. zwischen Logik- und Speicherbereichen vorhandene Topologiestufe wird vermieden.
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