Verfahren zum Integrieren eines Chips innerhalb einer Leiterplatte

摘要

Zum Erzeugen einer hochintegrierten Struktur wird ein Chip innerhalb einer Leiterplatte eingebettet, indem der Chip rückseitig gedünnt wird, auf eine Leiterplattenbodenschicht aufgebracht wird, von einer weiteren Leiterplattenbodenschicht umhüllt wird, in der Ausnehmungen erzeugt werden, welche sich bis zu einer Leiterstruktur der Leiterplattenbodenschicht und Anschlußflächen des Chips erstrecken. Eine Kontaktierung erfolgt durch eine Kontaktierungsleiterstruktur, die sich bis zu der Anschlußfläche des Chips und der Leiterstruktur der Leiterplattenbodenschicht erstreckt. Für mehrschichtige dreidimensionale Strukturen wird das Verfahren lagenweise wiederholt.