发明名称 一种测量薄层熔体中扩散输运系数的扩散单元及制作方法
摘要 本发明涉及扩散输运性质领域。通过掩膜法,即用已知的镀膜方法在两种不同的扩散物质上下按一定的规范选镀内外保护层,获得用于测量薄层熔体中扩散输运系数的扩散单元结构。本发明的扩散单元能有效抑制表面张力对流和重力对流对熔体扩散过程的影响,它可测量厚度从纳米到毫米尺度的薄膜熔体中扩散输运系数,研究界面对扩散过程的影响,还可研究扩散系数与体系维数的关系。
申请公布号 CN1299047A 申请公布日期 2001.06.13
申请号 CN99125593.3 申请日期 1999.12.06
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 潘明祥;汪卫华;张明;赵德乾;李顺朴
分类号 G01N13/00;G01N1/28 主分类号 G01N13/00
代理机构 代理人
主权项 1、一种测量薄层熔体中扩散输运系数的扩散单元,其特征在于:扩散单元由衬底(1)、扩散层(3)和(4)、内保护层(2)和外保护层(5)构成;由两种不同扩散物质A和B组成的扩散层被包裹在内外保护层之间;A和B两种扩散物质直接接触;内外保护层在互扩散层(3)和(4)的端面的其余位置完全结合成为一个整体。
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