发明名称 液晶显示装置
摘要 一种液晶显示装置,具有一第一挡光膜2、一第一层间膜3、一薄膜电晶体、一第二层间膜9、与一第二挡光膜10依序位于一透明绝缘基板l上;其中:该第一挡光膜2之形状为梯形,具有一推拔形末端,其中位于薄膜电晶体侧之上边短于位于基板侧之下边,且连接该下边之一端点2b及薄膜电晶体中之通道之一端点5a之线与该通道之该端点处之方向法线间所形成之一角度θ1大于或等于50。;以及,此外,连接该第二挡光膜10之该下面之一端点10a及该第一挡光膜2之该上边之一推拔形起始点2a之线与第二挡光膜10之该下面之该端点处之方向法线间所形成之一角度θ2大于或等于30°,俾可在不减少孔径比之条件下,防止从基板之反面而来之反射光与从光学系统而来之反射光进入通道中。
申请公布号 TW439297 申请公布日期 2001.06.07
申请号 TW088121831 申请日期 1999.12.10
申请人 电气股份有限公司 发明人 樱本环;奥村展
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 周良谋 新竹巿东大路一段一一八号十楼;周良吉 台北市长春路二十号三楼
主权项 1.一种液晶显示装置,具有依序配置于一透明绝缘基板上的一第一挡光膜、一第一层间膜、一薄膜电晶体、一第二层间膜、与一第二挡光膜;其中:该第一挡光膜之形状为梯形,具有一推拔形末端,其中位于薄膜电晶体侧之上边短于位于基板侧之下边,且连接该下边之一端点及薄膜电晶体中之通道之一端点之线与该通道之该端点处之方向法线间所形成之一角度大于或等于50;且连接该第二挡光膜之下面之一端点及该第一挡光膜之上边之一堆拔形起始点之线与第二挡光膜之下面之该端点处之方向法线间所形成之一角度大于或等于30。2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其第一挡光膜之末端部之一推拔形角度系30至80。3.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该第一挡光膜系由金属矽化物所形成。4.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中该第一挡光-膜之推拔形部系藉由使用SF6+C2Cl2F4或Cl2+N2+AlCl3之混合气体之电浆蚀刻所形成。5.如申请专利范围第2项之液晶显示装置,其中该第一挡光膜系由金属矽化物所形成。6.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中该第一挡光-膜之推拔形部系藉由使用SF6+C2Cl2F4或Cl2+N2+AlCl3之混合气体之电浆蚀刻所形成。7.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。8.如申请专利范围第2项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。9.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。10.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。11.如申请专利范围第5项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。12.如申请专利范围第6项之液晶显示装置,其中该第二挡光膜兼作为一资料线。图式简单说明:第一图(a)系解释本发明之效应之剖面图,且第一图(b)系解释被定义位置间之关系之概念图。第二图系显示对于第一挡光膜具有个别宽度之三个样品中,漏电流相对于背照蓝光(back-illumination)之强度之示意图,阐明漏电流随着第一挡光膜之膜宽度之变化。第三图(a)系显示本发明之一例子之LCD装置之剖面图,且第三图(b)系显示沿着第三图(a)之线A-A'之剖面图。第四图(a)与第四图(b)系解释与习知结构相关之问题之剖面图。
地址 日本