| 主权项 |
1.一种主动矩阵型基板,其特征在于包含:绝缘性基板;复数之扫描线及信号线,在该绝缘性基板上配线成格子状;像素电极,分别配置于由该扫描线及信号线所包围的领域;开关元件,分别电性连接于该扫描线、信号线及像素电极;及电阻控制元件,电性连接于该扫描线和信号线中的至少任二根配线,并依施加于本身的电压以可变方式控制本身的电阻値。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型基板,其中,由该电阻控制元件所连接的配线皆为扫描线。3.如申请专利范围第1项之主动矩阵型基板,其中,由该电阻控制元件所连接的配线皆为信号线。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型基板,其中,该电阻控制元件系由并联连接于一根配线上,且其信号彼此逆向流过的二个二端子元件所构成。5.如申请专利范围第4项之主动矩阵型基板,其中,该信号电极系由与该像素电极相同的导电膜所形成。6.如申请专利范围第4项之主动矩阵型基板,其中,该二端子元件系由电性连接于扫描电极及信号电极的薄膜电晶体所构成。7.如申请专利范围第6项之主动矩阵型基板,其中,该薄膜电晶体系由沟道部分受到蚀刻的沟道蚀刻型电晶体所构成。8.一种主动矩阵型基板之制造方法,系为包含:绝缘性基板;在该绝缘性基板上配线成格子状的复数之扫描线、信号线;分别配置于由该扫描线及信号线所包围的领域之像素电极;主动矩阵型基板之制造方法,其特征在于:在制造该开关元件之同时,并制造电阻控制元件,该电阻控制元件电性连接于该扫描线和信号线中的至少任二根配线,并依来自该配线的电荷以可变方式控制本身的电阻値。9.一种主动矩阵型基板之制造方法,其特征在于包含如下步骤:在绝缘性基板上形成作为扫描线材料的第一导电膜的步骤;将该导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成扫描线、扫描电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,依序形成第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层的步骤;将该第二绝缘层施以图型形成使成为与该扫描电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极约略相同形状,而形成沟道保护层的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,形成作为接触层的第二半导体层的步骤;将该第一半导全层、第二半导体层施以图型形成使成为既定之形状,而形成薄膜电晶体的沟道部与接触层之步骤;在包含该接触层之领域,形成信号线、信号电极、汲极电极、作为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极之材料的第二导电膜的步骤;将该第二导电膜施以图型形成使为既定之形状,而形成信号线、信号电极、汲极电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极的步骤;形成像素电极第三导电膜步骤;及对该第三导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成像素电极的步骤。10.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,更包含于形成第一绝缘膜之前,将第一导电膜的表面施以阳极氧化的步骤。11.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,该第一导电膜系由钽所构成。12.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,该第一绝缘膜系由氮化矽所构成。13.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,该第二导电膜系由钛所构成。14.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,该第二绝缘膜系由氮化矽所构成。15.如申请专利范围第9项之主动矩阵型基板之制造方法,其中,该像素电极系由透明导电膜所构成。16.一种主动矩阵型基板之制造方法,其特征在于包含如下步骤:在绝缘性基板上形成作为扫描线材料的第一导电膜的步骤;将该第一导电膜施以图理形成使成为既定之形状,而形成扫描线、扫描电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,依序形成绝缘层、第一半导体层的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,形成作为接触层的第二半导体层的步骤;将该第一半导体及第二半导体层施以图型形成使成为既定之形状,而形成薄膜电晶体的沟道部与接触层之步骤;在包含该接触层之领域,形成信号线、信号电极、汲极电极、作为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极的第二导电膜的步骤;将该第二导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成信号线、信号电极、汲极电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极的步骤;形成像素电极第三导电膜步骤;及对该第三导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成像素电极的步骤。17.一种主动矩阵型基板之制造方法,其特征在于包含如下步骤:在绝缘性基板上形成作为扫描线材料的第一导电膜的步骤;将该第一导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成扫描线、扫描电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,依序形成绝缘层、第一半导体层的步骤;在包括该扫描线上、扫描电极上、及成为二端子元件的薄膜电晶体之扫描电极上的领域,形成作为接触层的第二半导体层后,再形成信号线、信号电极、汲极电极、作为二端子元件的薄膜电晶体之信号电有与汲极电极之材料的第二导电膜之步骤;将该第二导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成信号线、信号电极、汲极电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极的步骤;以该信号电极、汲极电极及成为二端子元件的薄膜电晶体之信号电极与汲极电极为光罩,对第一半导体层及第二半导体层施以蚀刻,而形成薄膜电晶体的沟道部与接触层之步骤;形成作为像素电极第三导电膜之步骤;及对该第三导电膜施以图型形成使成为既定之形状,而形成像素电极的步骤。图式简单说明:第一图为主动矩阵型基板的概略平面图。第二图(a)为第一图所示主动矩阵型基板中备有之短路环部附近的概略平面图。第二图(b)为第二图(a)之B-B线端视剖视图。第二图(c)为第二图(a)之C-C线端视剖视图。第三图为显示介由该短路环部连接之端子间的电压与电流的关系之图。第四图(a)为显示第一图所示主动矩阵型基板整体的制造方法之流程图。第四图(b)为显示第一图所示主动矩阵型基板之短路环部附近的制造方法之流程图。第五图为第一图所示主动矩阵型基板之橡素电极附近的概略平面图。第六图为第五图之A-A线端视部视图。第七图(a)为主动矩阵型基板中备有之另一短路环部附近的概略平面图。第七图(b)为第七图(a)之D-D线端视剖视图。第八图为仅于扫描线输入端子部侧形成短路环部的主动矩阵型基板的要略平面图。第九图为仅于信号线输入端子部侧形成短路环部的主动矩阵型基板的概略平面图。第十图(a)为主动矩阵型基板中备有之另一短路环部附近的概略平面图。第十图(b)为第十图(a)之E-E线端视剖视图。第十一图(a)为显示第十图(a)所示主动矩阵型基板整体的制造方法流程图。第十一图(b)为显示第十图(a)所示主动矩阵型基板之短路环部附近的制造方法流程图。第十二图(a)为主动矩阵型基板中备有之另一短路环部附近的概略平面图。第十二图(b)为第十二图(a)之F-F线端视剖视图。第十三图(a)为显示第十二图(a)所示主动矩阵型基板整体的制造方法之流程图。第十三图(b)为显示第十二图(a)所示主动矩阵型基板之短路环部附近的制造方法流程图。第十四图为主动矩阵型基板中备有之另一短路环部附近的概略平面图。第十五图为习用之主动矩阵型基板之像素电极附近的概略平面图。第十六图为习用之主动矩阵型基板之概略平面图。第十七图为习用之主动矩阵型基板之要略平面图。 |
