半导体发光元件之制造方法

摘要

一种半导体发光元件的制造方法，系在使用切割(dicing)方式自晶圆(wafer)进行切断分离成各个晶片(chip)时，可无须施行保护膜之蚀刻(etching)处理，且能不破损保护膜而予以分割者，包括:(a)将含有n型层3及p型层5的发光层所形成的半导体层予以积层于晶圆状的基板l上;(b)除去经积层的半导体层的一部份而露出n型层3;(c)在积层的半导体层的表面p型层5及露出的n型层3分别电性连接而形成P侧电极8及n侧电极9;(d)在将积层于晶圆状基板l的半导体层待切断分离成各晶片11,12的部位，进行切割而达于基板l;(e)此后，设置保护膜10于前述积层的半导体层的露出面，而形成p侧及n侧电极8及9露出之状态;(f)在晶圆状的基板l的切割部份，进行分离成各晶片。

主权项

1.一种半导体发光元件的制造方法,具有:(a)将含有第1导电型半导体层及第2导电型半导体层的发光层所形成的半导体层予以积层于晶圆状的基板上;(b)除去该积层的半导体层的一部份而露出第2导电型半导体层;(c)在除去前述积层的半导体层的表面的第1导电型半导体层及前述积层的半导体层的一部份而露出的第2导电型半导体层上,分别作电性连接而形成第1及第2电极;(d)在将前述半导体层所积层的晶圆状的基板待切断分离成各晶片的部份,自该积层的半导体层的露出面侧进行切割而达于前述基板;(e)设置保护膜于前述积层的半导体层的露出面而形成前述第1及第2电极为露出之状态;以及(f)在前述切割的部份,藉由进行分割处理而将前述晶圆状的基板分离成各晶片。图式简单说明:第一图为本发明之制法之一实施形态的切断分离之前的状态的断面说明图。第二图(a)至(c)为表示第一图之制法的切割工程与保护膜形成工程的平面说明图。第三图为说明习知之半导体发光元件的制法的断面说明图。第四图为说明习知之半导体发光元件的制法的平面说明图。