| 主权项 |
1.一种表面电浆波超解析预录型光碟结构,依序包含PC基材、凹坑记号区、第一介电层、金属层、第二介电层、UV覆层组成,其中在第一介电层及金属层之间可以在波长范围300nm-800nm内产生表面电浆波,获得近场强度强化之效果,因而易于分辨微小凹坑而获得高解析度。2.如申请专利范围第1项之光碟结构,其中在所述的凹坑记号区及第一介电层之间加上一层反射层。3.如申请专利范围第1项之光碟结构,其中在所述的第二介电层及UV覆层之间加上一层反射层。3.如申请专利范围第1项之光碟结构,其中所述第一介电层及/或第二介电层为多层结构。5.如申请专利范围第1或4项之光碟结构,其中所述第一介电层、第二介电层之材料可达自下列材料所构成的组群:SiNx、GeNx、AlNx、TiNx。6.如申请专利范围第2或3项之光碟结构,其中所述反射层之材料可选自下列材料所构成的组群:铝、铝合金、金、银。7.如申请专利范围第1项之光碟结构,其中所述金属层之材料可选自下列材料所构成的组群:镓、锗、砷、硒、铟、锡、锑、碲及银。8.如申请专利范围第1项之光碟结构,其中所述第一介电层、金属层、第二介电层之较佳厚度范围为10nm-100nm。9.一种表面电浆波超解析光碟结构,其特征为在此光碟结构中至少包含一个由上介电层/金属层/下介电层所构成的三层结构,所述三层结构可以在波长范围300nm-800nm内产生表面电浆波及近场光学效应,以使读取光点在经所述三层结构时有聚光效果。10.如申请专利范围第9项之光碟结构,其中上介电层、金属层、下介电层之较佳厚度范围为10nm-100nm。11.如申请专利范围第9项之光碟结构,其中上介电层及/或下介电层为多层结构。图式简单说明:第一图说明利用近场探针进行光储存媒体的高密度记录与读取;第二图说明利用一层约15nm左右之光学非线性薄膜进行光学近场效果之控制;第三图所示为在锑薄膜上产生surface plasmon之光学配置实例;第四图说明在第三图所示锑薄膜中光波的全反射现象的示意图;第五图之p-wave穿透率分布图(与入射角及Sb厚度变化关系);第六图为厚15nm的Sb薄膜其p-wave之穿透率;第七图为s-wave穿透率分布图(与入射角及Sb厚度变化关系);第八图为厚15nm的Sb薄膜其s-wave之穿透率第九图显示=635nm,锑厚度为15nm时穿透率的强度分布状况;第十图为说明表面电浆波效果所致的光点直径之图形;第十一图为本创作之第一具体实例;第十二图为本创作之第二具体实例;第十三图为本创作之第三具体实例。 |
