| 主权项 |
1.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体上且包含一源极区,一汲极区,一位于该源极区及该汲极区之间的通道区,及一闸极电极位于该通道区附近而具有一闸极绝缘膜位于其间;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极包含ITO位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,一EL层位于该像素电极之上;及一黑色矩阵包含一金属覆盖该像素电极的周围区域的至少一部份;其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钼及铬组成的群组中所选出之一材质。2.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体上且包含一源极区,一汲极区,一位于该源极区及该汲极区之间的通道区,及一闸极电极位于该通道区附近而具有一闸极绝缘膜位于其间;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,及一EL层位于该像素电极之上;及一黑色矩阵包含一金属覆盖该像素电极的周围区域的至少一部份,其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钼及铬所组成的群组中所选出之一材质。3.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体之上且包含一闸电极,一闸绝缘膜位于该闸电极之上,一源极区,一汲极区,一通道区位于该源极区及该汲极区之间且在该闸绝缘膜之上;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极包含ITO位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,一EL层位于该像素电极之上;及一黑色矩阵包含一金属覆盖该像素电极的周围区域的至少一部份,其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钽及铬所组成的群组中所选出之一材质。4.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体之上且包含一闸电极,一闸绝缘膜位于该闸电极之上,一源极区,一汲极区,一通道区位于该源极区及该汲极区之间且在该闸绝缘膜之上;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲区中之一者连接,及一EL层位于该像素电极之上;及一黑色矩阵包含一金属覆盖该像素电极的周围区域的至少一部份,其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钽及铬所组成的群组中所选出之一材质。5.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体上且包含一源极区,一汲极区,一位于该源极区及该汲极区之间的通道区,及一闸极电极位于该通道区附近而具有一闸极绝缘膜位于其间;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,一EL层位于该像素电极之上;及一罩膜用以遮蔽该像素薄膜电晶体。6.一种主动矩阵EL显示器包含:一薄膜电晶体位于一基体上且包含一源极区,一汲极区,一位于该源极区及该汲极区之间的通道区,及一闸极电极位于该通道区附近而具有一闸极绝缘膜位于其间;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,及一EL层位于该像素电极之上;及一罩膜包含一金属用以遮蔽该像素薄膜电晶体,其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钽及铬及组成的群组中所选出之一材质。7.一种主动矩阵EL显示器包含:一像素薄膜电晶体位于一基体之上且包含一闸电极,一闸绝缘膜位于该闸电极之上,一源极区,一汲极区,一通道区位于该源极区及该汲极区之间且在该闸绝缘膜之上;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,一EL层位于该像素层电极之上,及一罩膜用以遮蔽该像素薄膜电晶体。8.一种主动矩阵EL显示器包含:一像素薄膜电晶体位于一基体之上且包含一闸电极,一闸绝缘膜位于该闸电极之上,一源极区,一汲极区,一通道区位于该源极区及该汲极区之间且在该闸绝缘膜之上;一中介层绝缘膜包含氮化矽被设置于该源极区,该汲极区,该通道区,该闸极绝缘膜及该闸极电极之上;一像素电极位于该中介层绝缘膜之上且与该源极区及该汲极区中之一者连接,及一EL层位于该像素电极之上;及一罩膜包含一金属用以遮蔽该像素薄膜电晶体,其中该黑色矩阵的该金属包含由铝,钽及铬及组成的群组中所选出之一材质。9.如申请专利范围第1项的显示器其中该黑色矩阵的该金属包含由铝、钽及铬所组成的群组中所选出的材料。10.如申请专利范围第2项的显示器其中该黑色矩阵的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。11.如申请专利范围第3项的显示器其中该黑色矩阵的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。12.如申请专利范围第4项的显示器其中该黑色矩阵的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。13.如申请专利范围第5项的显示器其中该罩膜的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。14.如申请专利范围第6项的显示器其中该罩膜的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。15.如申请专利范围第7项的显示器其中该罩膜的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。16.如申请专利范围第8项的显示器其中该罩膜的该金属包含由铝、钛及铬所组成的群组中所选出的材料。17.如申请专利范围第1项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。18.如申请专利范围第2项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。19.如申请专利范围第3项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。20.如申请专利范围第4项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。21.如申请专利范围第5项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。22.如申请专利范围第6项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。23.如申请专利范围第7项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。24.如申请专利范围第8项的显示器其中该主动矩阵EL显示器为一主动矩阵场致发光显示器。25.如申请专利范围第1项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。26.如申请专利范围第2项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。27.如申请专利范围第3项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。28.如申请专利范围第4项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。29.如申请专利范围第5项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。30.如申请专利范围第6项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。31.如申请专利范围第7项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。32.如申请专利范围第8项的显示器其中该中介层绝缘膜包含氮化矽。图式简单说明:第一图A至第一图D说明一主动矩阵电路之像元部之制造步骤。第二图A至第二图C说明一主动矩阵电路之像元部之制造步骤。第三图A至第三图C说明一主动矩阵电路之像元部之制造步骤。第四图A至第四图C说明一主动矩阵电路之像元部之制造步骤。第五图A至第五图D说明一主动矩阵电路之像元部之制造步骤。 |
