半导体装置之制造方法

摘要

本发明系有关于一种半导体装置之制造方法，其课题乃于药液洗净处理时，自局部露出埋入塞子的部分，会产生溶解埋入塞子，且导致电阻上昇，导电良品率降低，装置良品率降低，可靠性劣化。其解决手段即在于，针对形成在层间绝缘膜13的埋入塞子17上，形成上层配线20之半导体装置之制造方法中，利用蚀刻予以制作图案而形成前述上层配线20之后，至少利用有机剥离液除去被用来当作蚀刻掩模的光阻膜l9之前，针对自前述上层配线20突出所形成的前述埋入塞子17的表面，使用添加氟系气体的氧系气体，来进行电浆处理，而于前述埋入塞子17的表面，形成保护膜12。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,乃属于针对形成在绝缘膜的埋入塞子上,形成上层配线之半导体装置之制造方法,其特征为:利用蚀刻予以制作图案而形成前述上层配线之后,至少利用有机剥离液除去被用来当作蚀刻掩模的光阻膜之前,针对自前述上层配线突出所形成的前述埋入塞子的表面,使用添加氟系气体的氧系气体,来进行电浆处理,而于前述埋入塞子的表面,形成保护膜。2.一种半导体装置之制造方法,乃属于针对形成在绝缘膜的埋入塞子上,形成上层配线之半导体装置之制造方法,其特征为:利用蚀刻予以制作图案而形成前述上层配线之后,至少利用有机剥离液除去被用来当作蚀刻掩模的光阻膜之前,针对自前述上层配线突出所形成的前述埋入塞子的表面,使用以非活性气体为主体的气体,来进行电浆处理,并予以除去被储存在前述上层配线的电荷。图式简单说明:第一图系本发明之有关本发明之第1制造方法之制造工程图。第二图系本发明之有关本发明之第2制造方法之制造工程图。第三图系说明习知技术之制造工程图。第四图系课题之说明图。