| 主权项 |
1.一种依照左克拉斯基法制备半导体材料单晶体之器具,包括一坩埚,该坩埚填满半导体材料熔体,置于一可轴向升起及降落之轴上,当生长在结晶前端之单晶体被拉时则升起,尚含有至少一个用以保护生长中单晶体之热护套及一用以冷却生长中单晶体之冷却装置,该冷却装置安装在坩埚之上方,系由两部分构成,第一上部件包括一导管系统,液态冷媒流过该导管系统,第二下部件设计成一高热导度之冷却体,上述器具则设计成,在运作时,仅冷却装置之下部件浸入熔体中,纵使坩埚(最大填充水平)轴向升至最大高度,冷却装置之上部件仍不触及熔体。2.如申请专利范围第1项之器具,其中冷却装置之下部件系藉助一固定件(可松开,与温度有密切关系)与上部件固定在一起。3.如申请专利范围第1项之器具,其中冷却装置之下部件用低熔软焊接合与上部件固定在一起。4.如申请专利范围第1.2或3项之器具,其中冷却装置之下部件系一冷却体,该冷却体系由银制成或外涂一层银。5.如申请专利范围第4项之器具,其中面向单晶体之冷却体内侧具有一热辐射能吸收表面及该内侧对面之外侧具有一热辐射能反射表面。图式简单说明:第一图:本发明最佳具体实施例之纵剖面图。 |
