| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,适用于一基底,于该基底上已完成一字元线、一源极/汲极区、一位元线以及一第一绝缘层之制程,该第一绝缘层覆盖于该源极/汲极区、该字元线以及该位元线之上,并已平坦化,其更包括:于该第一绝缘层上,形成一硬罩幕层;于该硬罩幕层上,形成一第二绝缘层;定义该第二绝缘层与硬罩幕层,直到暴露出该第一绝缘层之表面,形成一对应于部分源极/汲极区之开口;于该开口中该第二绝缘层之侧壁,形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,进行一节点接触窗口蚀刻步骤,并剥除该第二绝缘层;于该节点接触窗口中以及该硬罩幕上,覆盖一第一导电层,并填满该节点接触窗口;于该第一导电层上,覆盖一第三绝缘层,并平坦化该第三绝缘层;定义该第三绝缘层,再于该第三绝缘层上形成一第二导电层;剥除部分该第二导电层、该第一导电层以及该第三绝缘层,以完成该电容元件之一下电极;以及依序形成一介电层、一第三导电层于该电容元件下电极上。2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该硬罩幕层的材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一绝缘层的材质包括硼磷矽玻璃。5.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一绝缘层的材质包括磷矽玻璃。6.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一绝缘层的材质包括氧化矽。7.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一绝缘层平坦化之方法包括化学机械研磨法。8.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一绝缘层平坦化之方法包括回蚀法。9.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第二绝缘层的材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第一导电层的材质包括复晶矽。11.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第二导电层的材质包括复晶矽。12.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第三绝缘层平坦化之方法包括化学机械研磨法。13.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第三绝缘层平坦化之方法包括回蚀法。14.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第三绝缘层剥除方法包括湿式蚀刻法。15.如申请专利范围第1或2项所述之动态随机存取记忆体之电容元件的制造方法,其中该第三导电层的材质包括复晶矽。图式简单说明:第一图A至第一图B系显示一种习知之节点接触窗口制造流程之x方向剖面图;第二图系显示一种习知之节点接触窗口制造过程第一图B之y方向剖面图;以及第三图A至第三图G系显示根据本发明较佳实施例之动态随机存取记忆体之电容元件的制造流程剖面图。 |
