| 摘要 |
一种用于形成一对MOSFET于相异的矽基板电隔离区中的方法。各MOSFET具有不同的闸极氧化物厚度。一第一二氧化矽层在矽基板表面上成长至一预定厚度。一部份的二氧化矽层形成于一隔离区上，而另一部份的二氧化矽层则位于第二隔离区上。一无机层被形成于该二氧化矽层上,该无基层延伸超出矽基板的隔离区。第一部份的无机层系位于第一个隔离区上,而第二部份的无基层则位于第二个隔离区上。形成一光阻层于该无机层上。以位于该第一部份之无机层上的开口,刻划光阻层。该光阻层覆盖第二部份的无机层。在经刻划的光阻上进行蚀刻,以选择性地移除第一部份的无机层,而将该无机层刻划,以曝置出底下的矽基板表面部份,并留下第二部份的无机层。移除该光阻层。使用该无机罩幕选择性地移除所曝置的二氧化矽部份。移除该无机罩幕。一个第二二氧化矽层成长于所曝置出的底下矽基板部份上方，其厚度与第一二氧化矽层相异。该二氧化矽层刻划成该对MOSFET的闸极氧化物。 |
| 主权项 |
1.一种用于形成一对MOSFET于矽基板之不同电隔离区中的方法,各MOSFET具有没的闸极氧化物厚度,其包含:形成一隔离区于部份的矽基板表面中,该隔离区将矽基板隔离成相异的电区;在矽基板表面上形成一预定厚度的第一层二氧化矽,一部份的二氧化矽层系位于第一隔离区上,而另一部份的二氧化矽层则位于第二隔离区上;形成一无机层于该二氧化矽层上,该无机层将延伸超过矽基板的隔离区,第一部份的无机层系位于第一隔离区上,而第一部份的无机层则位于第二隔离区上;将该无机层刻划成无机罩幕,第一部分的无机层将曝置出底下第一部分的矽基板表面,并留下第二部份的无机层于该第二部份的二氧化矽层上;该无机罩幕用于选择性地移除所曝置的底下二氧化矽层;移除该无机罩幕;一第二层的二氧化矽成长于所曝置之底下的矽基板部分,其厚度系异于一氧化矽层的厚度;刻划该第一与第二二氧化矽层成该对MOSFET的闸极氧化物。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该无机层为氮化矽。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该二氧化矽罩幕系以沥式蚀刻法移除。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该湿式蚀刻法为热磷酸、氢氟酸与乙烯基乙二醇溶液或氢氟酸与丙烯碳酸酯溶液。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该无机层为类钻碳。6.如申请专利范围第5项之方法,其中用于移除该类钻碳的蚀刻为乾式蚀刻。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该乾式蚀刻为氧基乾式蚀刻。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该无机层为矽。9.如申请专利范围第8项之方法,其中用以移除矽的蚀刻为湿式蚀刻法。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该湿式蚀刻为HF:HNO3:CH3COOH(或KOH)为2:15:5的溶液。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该无机层为锗。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该蚀刻为湿式蚀刻法。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该湿式蚀刻为过氧化氢。14.一种用于形成一对MOSFET于矽基板之不同电隔离区中的方法,各MOSFET具有不同的闸极氧化物厚度,其包含:形成一隔离区于部份的矽基板表面中,该闸极区将矽基板隔离成相异的电区;在矽基板表面上形成一预定厚度的第一层二氧化矽,一部份的二氧化矽层系位于第一隔离区上,而另一部份的二氧化矽层则位于第二隔离区上;形成一无机层于该二氧化矽层上,该无机层将延伸超过矽基板的隔离区,第一部份的无机层系位于第一隔离区上,而第二部份的无机层则位于第二隔离区上;形成一个光阻层于该无机层上;以位于该第一部份之无机层上方的开口刻划该光阻层,该光阻层系覆盖第二部份的无机层;在经刻划的光阻上进行蚀刻,以选择性地移除第一部份的无机层,而将该无机层刻划,以曝置出底下的矽基板表面部份,并留下第二部份的无机层;移除该光阻层;使用该无机罩幕选择性地移除所曝置的二氧化矽部份;移除该无机罩幕;一第二二氧化矽层成长于所曝置出的底下矽基板部份上方,其厚度与第一二氧化矽层相异;刻划该第一与第二二氧化矽层成该对MOSFET的闸极氧化物。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该无机层为氮化矽。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该二氧化矽罩幕系以湿式蚀刻法移除。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该湿式蚀刻法为热磷酸、氢氟酸与乙烯基乙二醇溶液或氢氟酸与丙烯碳酸酯溶液。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该无机层为类钻碳。19.如申请专利范围第18项之方法,其中用于移除该类钻碳的蚀刻为乾式蚀刻。20.如申请专利范围第19项之方法,其中该乾式蚀刻为氧基乾式蚀刻。21.如申请专利范围第14项之方法,其中该无机层为矽。22.如申请专利范围第21项之方法,其中用以移除矽的蚀刻为湿式蚀刻法。23.如申请专利范围第11项之方法,其中该湿式蚀刻为HF:HNO3:CH3COOH(或KOH)为2:15:5的溶液。24.如申请专利范围第14项之方法,其中该无机层为锗。25.如申请专利范围第24项之方法,其中该蚀刻为湿式蚀刻法。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该湿式蚀刻为过氧化氢。图式简单说明:第一图A—第一图J为具有不同闸极氧化物厚度之MOSFET对的半导体结构,在制造其的各阶段中的示意横截面图。 |
