| 主权项 |
1.一种在半导体晶圆形成对准键的方法,该半导体晶圆中具有交错的切割道区域,用以界定复数个积体电路区域,该方法包括下列步骤:藉交互沉积一导电层和一绝缘层于该积体电路区域上方以形成复数个积体电路,且同时在切割道区域中形成一由该导电层和该绝缘层组成的预留层;以及于该切割道区域中之该预留层上方形成该对准键。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该对准键的步骤更包括:沉积一用以形成该对准键之物质层于该预留层上方;以及定义该物质层直至暴露出该预留层以形成该对准键。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该物质层具与该预留层不同的蚀刻选择率。图式简单说明:第一图系绘示一晶圆具有复数个藉水平和垂直切割道呈直角交错而彼此分隔之晶片示意图;第二图系绘示习知一种形成对准键方法的剖面示意图;第三图系绘示的是根据本发明之一较佳实施例,一种形成对准键方法的剖面示意图;以及第四图系绘示的是根据本发明之另一较佳实施例,一种形成对准键方法的剖面示意图。 |
