| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离之制造方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有具有一第一开口之一罩幕层与一垫氧化层,该开口裸露出部分该基底;以该罩幕层与该垫氧化层为罩幕,于该基底中形成一浅沟渠;于该浅沟渠中形成一第一绝缘层,且该第一绝缘层之表面低于该基底之表面,并裸露部分浅沟渠侧壁;移除部分该罩幕层与该垫氧化层,以扩大该第一开口形成一第二开口,并裸露出部分该基底之表面;于该第二开口与该浅沟渠所裸露之该基底中,形成一离子掺区;于该浅沟渠与该第二开口中,形成一第二绝缘层,并填满该浅沟渠与该第二开口;以及依序移除该罩幕层与该垫氧化层,于浅沟渠中形成一浅沟渠隔离。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该离子掺杂区之方法包括以一区域离子植入制程,以一特定角度,对于第二开口与该浅沟渠所裸露之该基底植入一掺杂离子。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中当在该基底中进行一NMOS之制造时,该掺杂离子可以为硼离子,且较佳之植入剂量约为21012至51012atoms/cm2左右,离子植入能量约为8至10KeV之间。4.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中当在该基底中进行一PMOS之制造时,该掺杂离子可以为砷离子,且较佳的植入剂量约为21012至51012atoms/cm2左右,离子植入能量约20至30KeV。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该第一绝缘层之表面与该基底之表面约相距500埃。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该第二开口之侧壁与该浅沟渠之侧壁相柜约200-300埃。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中形成该第一绝缘层之方法包括:于该基底上方形成一绝缘层;进行一化学机械研磨法,移除部分该绝缘层,直到裸露出该罩幕层之表面;进行一回蚀刻法移除部分该绝缘层,已于该浅沟渠中形成该第一绝缘层。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中于该第二绝缘层形成之后,更包括进行一密化制程。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该密化制程之条件包括是在温度约1000℃,进行时间约10-30分钟。10.一种浅沟渠隔离之制造方法,其形成于一基底中,该基底上形成有具有一第一开口之一罩幕层与一垫氧化层,该开口裸露出部分该基底,其方法包括:以该罩幕层与该垫氧化层为罩幕,于该基底中形成一浅沟渠;于该基底上方形成一氧化矽层,并填满该沟渠;进行一化学机械研磨法,移除部分该氧化矽层直到裸露出该罩幕层之表面;进行一回蚀刻法,移除部分该氧化矽层,使剩余之该氧化矽层之表面低于该基底之表面,并裸露出部分浅沟渠侧壁;移除部分该罩幕层与该垫氧化层,以扩大该第一开口形成一第二开口,并裸露出部分该基底之表面;进行一区域离子植入步骤,于该第二开口与该浅沟渠所裸露之该基底中,形成一离子掺区;于该浅沟渠与该第一开口中,形成一绝缘层,并填满该浅沟渠与该第二开口;进行一密化制程;以及依序移除该罩幕层与该垫氧化层,于浅沟渠中形成一浅沟渠隔离。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该区域离子植入制程,系以一特定角度,对于该第二开口与该浅沟渠所裸露之该基底植入一掺杂离子。12.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中当在该基底中形成一NMOS时,该掺杂离子可以为硼离子,且较佳之植入剂量约为21012至5102atoms/cm2左右,离子植入能量约为8至10KeV之间。13.如申请专利范围第11项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中当在该基底中形成一PMOS时,该掺杂离子可以为砷离子,且较佳的植入剂量约为21012至51012atoms/cm2左右,离子植入能量约20至30KeV。14.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中移除部分该氧化矽层之后,所剩下之该氧化矽层之表面与该基底之表面约相距500埃。15.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该第二开口之侧壁与该浅沟渠之侧壁相距约200-300埃。16.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中移除部分该氧化矽层之方法包括一回蚀刻法。17.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离之制造方法,其中该密化制程之条件包括是在温度约1000℃,进行时间约10-30分钟。图式简单说明:第一图A至第一图C,其所绘示为习知一种浅沟渠隔离之制造方法流程的剖面图;第二图系显示于基底中,浅沟渠隔离之边缘形成有掺杂区之剖面简图;以及第三图A至第三图E所示,为根据本发明一较佳实施例之一种浅沟渠隔离之制造方法。 |
