| 主权项 |
1.一种利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,适用于一半导体基底,该半导体基底中具有一第一导电层,且该第一导电层上形成有一介电层,该方法包括下列步骤:于该介电层上形成一图案化之硬罩幕层;以该图案化之硬罩幕层为罩幕,去除部分该介电层,以在该介电层中形成一开口,暴露出该第一导电层;于该开口中填入一导电材料,藉以在该介电层中形成一导电插塞,电性连接至该第一电导层;于该硬罩幕层上形成一第二导电层,且覆盖于该导电插塞上,而且电性连接至该导电插塞;去除该硬罩幕层;以及于该基底上覆盖一低阶梯覆盖氧化矽层,并且于该第二导电层与该介电层之间形成一空气间隙。2.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该硬罩幕层之材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中去除部分该介电层的方法包括非等向性乾蚀刻。4.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该导电材料包括钨。5.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该第二导电层之材料包括铝。6.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该第二导电层之材料包括铜。7.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中去除该硬罩幕层的方法包括等向性湿式蚀刻。8.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中形成该低阶覆盖氧化矽层的方法包括电浆加强化学气相沉积法。9.如申请专利范围第1项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中更包括在该低阶梯覆盖氧化矽层上形成一低介电常数材料层。10.一种利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,适用于一半导体基底,该半导体基底中具有一第一金属层,且该第一金属层上形成有一介电层,该方法包括下列步骤:于该介电层上形成一图案化之硬罩幕层;以该图案化之硬罩幕层为罩幕,去除部分该介电层,以在该介电层中形成一介层窗开口,暴露出该第一金属层;于该介层窗开口中填入一导电材料,藉以在该介电层中形成一导电插塞,电性连接至该第一金属层;于该硬罩幕层上形成一图案化之第二金属层,且覆盖于该导电插塞上,而且电性连接至该导电插塞;去除该硬罩幕层;以及于该基底上覆盖一电浆加强氧化矽层,并且于该第二金属层与该介电层之间形成一空气间隙。11.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该硬罩幕层之材质包括氮化矽。12.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中去除部分该介电层的方法包括非等向性乾蚀刻。13.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该电导材料包括钨。14.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中于该介层窗开口中填入该导电材料之前,更包括在该介层窗开口内壁形成一共形之黏着层。15.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该第二金属层之材料包括铝。16.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该第二金属层之材料包括铜。17.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中去除该硬罩幕层的方法包括等向性湿式蚀刻。18.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中形成该电浆加强氧化矽层的方法包括电浆加强化学气相沉积法。19.如申请专利范围第10项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中更包括在该电浆加强氧化矽层上形成一低介电常数材料层。20.如申请专利范围第19项所述之利用硬罩幕形成空气间隙的制造方法,其中该低介电常数材料层之材质包括HSQ。图式简单说明:第一图A至第一图F是绘示依照本发明一较佳实施例之制程剖面示意图。第二图是绘示关于第一图F中,在I-I'剖面线处垂直于第一图F平面之剖面示意图。 |
