| 主权项 |
1.一种形成金属层介电层的方法,系包括:(a)提供一已完成前段元件制作的半导体基板;(b)于所述半导体基板上,形成导电结构;(c)形成第一介电层于所述导电结构上;(d)使用含氮气(N2)之电浆对所述第一介电层进行表面处理;(e)形成所述之HSQ层(hydrogen silses-quioxane; HSQ)于所述之第一介电层之上;(f)于所述HSQ层上,形成第二介电层。2.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,其中所述第一介电氧化层的厚度系介于0.5K到1.5K之间。3.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,其中所述第一介电层可为氧化矽(SiOx),其中所述X=2与小于2其中之一的値。4.如申请专利范围第3项所述形成金属层介电层的方法,其中所述氧化矽(SiOx)系使用电浆增强式化学气相沈积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;PECVD)。5.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,其中所述第一介电层可为氮氧化矽(Silicon-Oxy Nitride;SiOxNy)。6.如申请专利范围第5项所述形成金属层介电层的方法,其中所述氮氧化矽(SiOxNy)系使用电浆增强式化学气相沈积法(PECVD)沈积而成。7.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,其中所述第一介电层可为含氟氧化矽(Fluorinated oxide;FSG)。8.如申请专利范围第7项所述形成金属层介电层的方法,其中所述含氟氧化矽(FSG)系使用高密度电浆化学气相沈积(High density plasma chemical vapordeposition;HDP CVD)。9.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,其中所述第一介电层为未掺杂二氧化矽(undoped silicon glass;USG)。10.如申请专利范围第9项所述形成金属层介电层的方法,其中所述未掺杂二氧化矽(USG)系使用高密度电浆化学气相沈积(HDP CVD)。11.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,所述步骤c与步骤d系在同一反应器(chamber)中进行(in-situ treatment)。12.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,所述步骤c与步骤d系分开在不同反应器中进行(ex-situtreament)。13.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,所述表面电浆处理,其中电浆处理的时间系介于20秒到60秒之间。14.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,所述第二介电层系为使用电浆增强式化学气相沈积法(PECVD)沈积而成。15.如申请专利范围第1项所述形成金属层介电层的方法,所述之第二介电层系使用次大气压化学气相沈积法(sub-atmospheric chemical vapor deposition;SACVD)沈积而成。16.一种改善HSQ(hydrogen silses-quioxane;HSQ)/介电层界面剥离现象的方法,系包括:(a)提供一已完成前段制程的基板;(b)于所述基板上,形成一介电层;(c)对所述介电层进行表面电浆处理;(d)形成一HSQ层于所述介电层之上。17.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述第一介电氧化层的厚度系介于0.5K到1.5K之间。18.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述第一介电层可为氧化矽(SiOx),其中所述X=2与小于2其中之一的値。19.如申请专利范围第18项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述氧化矽(SiOx)系使用电浆增强式化学气相沈积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition;PECVD)。20.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述第一介电层可为氮氧化矽(Silicon-Oxy Nitride;SiOxNy)。21.如申请专利范围第20项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述氮氧化矽(SiOxNy)系使用电浆增强式化学气相沈积法(PECVD)沈积而成。22.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述第一介电层可为(Fluorinated oxide;FSG)。23.如申请专利范围第22项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述含氟氧化物(FSG)系使用高密度电浆化学气相沈积(Highdensity plasma chemical vapor deposition;HDP CVD)。24.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述第一介电层系为未掺杂二氧化矽(undoped silicon glass;USG)。25.如申请专利范围第24项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,其中所述未掺杂二氧化矽(USG)系使用高密度电浆化学气相沈积(HDP CVD)。26.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,所述步骤b与步骤c系在同一反应器(chamber)中进行(in-situ treatment)。27.如申请专利范围第16项所述改善HSQ /介电层界面剥离现象的方法,所述步骤b与步骤c系分开在不同反应器中进行(ex-situ treament)。28.如申请专利范围第16项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,所述表面电浆处理其反应气体为氮气(N2)。29.如申请专利范围第28项所述改善HSQ/介电层界面剥离现象的方法,所述表面电浆处理的时间系介于20秒到60秒之间。图式简单说明:第一图为本发明实施例中,对介电层表面进行电浆处理后,再形成HSQ层。 |
