| 主权项 |
1.一种罩幕图案之校正方法,包括:一种曝光量决定步骤,将半导体元件制程的曝光条件设定在某特定的曝光量,以使配置设计图案中所有长方形中之非密集长方形所组成的非密集长方形群,能正确地成形所要的图案,非密集长方形是相互间距离大于或等于某特定形状-到-形状距离的长方形;一种突出线侦测步骤,由配置设计图案之所有长方形中密集长方形所组成的密集长方形群被决定为目标长方形群,密集长方形是相互间距离小于某特定形状-到-形状距离的长方形,以及位于每二个长方形的之毗邻相对侧上直接相对部分的突出线段被侦测,该二个目标长方形彼此相互毗邻,且包括在目标长方形群内;以及一种校正形状产生步骤,如果突出线段的长度超过或等于某特定値,藉在该目标长方形要被缩小的方向,平行移动该突出线段所在的毗邻相对侧一特定校正量,以产生经过校正的长方形。2.一种罩幕图案之校正方法,包括:一种曝光量决定步骤,将半导体元件制程的曝光条件设定在某特定的曝光量,以使配置设计图案之所有长方形中之密集长方形所组成的密集长方形群,能正确地成形所要的图案,密集长方形是相互间距离小于某特定形状-到-形状距离的长方形;一种突出线侦测步骤,由配置设计图案中所有长方形中非密集长方形所组成的非密集长方形群被决定为目标长方形群,非密集长方形是相互间的距离大于或等于某特定形状-到-形状距离的长方形,以及该目标长方形群中每一个目标长方形的所有侧边者均匀地延伸某特定的校正量,以产生经过校正的长方形。3.一种罩幕图案之校正方法,包括:一种形状选择步骤,供选择及输出一密集长方形群,密集长方形群是由配置设计图案中所有长方形中之密集长方形所组成,该密集长方形是相互间距离小于某特定形状-到-形状距离的长方形,并选择及输出一非密集长方形群,非密集长方形群是由配置设计图案中所有长方形中之非密集长方形所组成,该非密集长方形是相互间距离大于或等于某特定形状-到-形状距离的长方形;一种形状数量比较步骤,比较包括在该密集长方形群中之长方形的数量与包括在该非密集长方形群中之长方形的数量,并选择长方形数量较少的群做为目标长方形群,同时选择长方形数量较多的群做为非目标长方形群;一种校正方法选择步骤,如果在形状数量比较步骤中选择密集长方形群为目标长方形群,则校正方法选择步骤选择第一种形状校正方法,以及如果在形状数量比较步骤中选择非密集长方形群为目标长方形群,则选择第二种形状校正方法;一种形状校正步骤,以该校正方法选择步骤所选择的第一或第二种校正方法校正目标长方形群中的目标长方形,以输出经过校正的长方形,并将半导体元件制程的曝光条件设定到某特定曝光量;以及一种形状结合步骤,结合经过校正的长方形群及该非目标长方形群,藉以输出已校正的曝光资料。4.如申请专利范围第3项的罩幕图案之校正方法,为实施第一种形状校正方法,其中该形状校正步骤包括:第一种曝光量决定步骤,将半导体元件制程的曝光条件设定在能使非目标长方形群成形所欲图案所需的特定曝光量;一种突出线侦测步骤,侦测位于该目标长方形群中相互毗邻之每二个目标长方形之毗邻相对侧上直接相对部分的突出线段;以及校正形状产生步骤,如果该突出线段的长度超过或等于某特定长度,校正形状产生步骤在该目标长方形要被减小的方向平行移动该突出线段所在的毗邻相对侧一特定校正量,藉以产生一经过校正的长方形;其中,为实施第二种形状校正方法,该形状校正步骤包括,第二种曝光量决定步骤,将半导体元件制程的曝光条件设定在能使非目标长方形群正确成形所欲图案的特定曝光量;以及第二种校正形状产生步骤,将该目标长方形群中第一个目标长方形的所有侧边都均匀地延伸一特定校正量。图式简单说明:第一图是本发明罩幕图案校正方法具体例的流程图。第二图(a)-第二图(d)是说明本发明具体例的形状选择步骤11之细节的概图。第三图(a)、(b)是本发明第一种形状校正方法具体例的流程图。第四图(a)、(b)是本发明第二种形状校正方法具体例的流程图。第五图(a)-第五图(e)是说明本发明之具体例突出线侦测步骤之细节的概图。第六图(a)-第六图(c)是说明本发明第一种校正形状产生步骤32具体例的细节的概图。第七图是说明本发明第二种校正形状产生步骤41具体例的细节概图。第八图(a)-第八图(d)是说明本发明另一种校正形状产生步骤具体例的细节概图。第九图(a)、(b)是说明光学接近效应之例的概图。第十图(a)、(b)是说明光学接近校正之习知技术例的概图。第十一图(a)-第十一图(d)是说明分割基本形状之方法例的概图。 |
