聚集电荷之CDM保护装置

摘要

一种聚集电荷之CDM保护装置。系利用尖端放电之 CDM保护设计，并尽量利用零散之小面积与制程相同于工作元件之保护元件，来防止CDM对工作元件的伤害，而无须增加面积与额外制程的成本，以全面性地防止CDM损害。而若有虚拟元件存在，亦可将其连结至接地焊垫，以减少非预期电荷对工作元件之伤害，同时亦可用外绕之电容以阻挡外部电荷之干扰。本发明不仅可有效降低保护电路面积之浪费，以减少成本的支出，同时也可全面性地防止CDM损害，使CDM不会损害到常态工作下的元件。

主权项

1.一种聚集电荷之CDM保护装置,包括:一内部元件区;复数个保护元件,配置于该内部元件区之零散面积上,用以吸收于该内部元件区中产生之CDM电荷,且该些保护元件连接在一起;以及一外部焊接,连接至该些保护元件其中之一,用以接收来自保护元件之CDM电荷并将之散逸,避免该内部元件区之工作元件遭受到该CDM电荷之损害。2.如申请专利范围第1项所述之聚集电荷之CDM保护装置,更包括一电容,设置于该内部元件区之外围并连接该保护元件与该外部焊垫,以形成一类似保护环的保护电路结构,该电容用以将来自该保护元件之CDM电荷藉由该外部焊垫散逸至地,并可吸收外来的CDM电荷而将之藉由该外部焊垫散逸至地。3.如申请专利范围第1项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该外部焊垫连接至一接地电压。4.如申请专利范围第1项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该些保护元件的结构,系采用较易吸收电荷的结构,其包括利用一成长逐渐变小的方式,成长具有一薄氧化层之一电晶体元件当作易放电的元件,使该CDM电荷较轻易经该电晶体元件而散逸。5.一种聚集电荷之CDM保护装置,包括:一内部元件区;复数个虚拟元件,配置于该内部元件区上,且该些虚拟元件连接在一起,用以吸收于该内部元件区中产生之CDM电荷,并将之散逸至地;以及一外部焊垫,连接至该些虚拟元件其中之一,用以接收来自该虚拟元件之CDM电荷并将之散逸,避免该内部元件区之工作元件遭受到该CDM电荷之损害。6.如申请专利范围第5项所述之聚集电荷之CDM保护装置,更包括一电容,设置于该内部元件区之外围并连接该虚拟元件与该外部焊垫,以形成一类似保护环的保护电路结构,该电容用以将来自该虚拟元件之CDM电荷藉由该外部焊垫散逸至地,并可吸收外来的CDM电荷而将之藉由该外部焊垫散逸至地。7.如申请专利范围第5项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该外部焊垫连接至一接地电压。8.一种聚集电荷之CDM保护装置,包括:一内部元件区;复数个保护元件,配置于该内部元件区之零散面积上,用以吸收于该内部元件区中产生之CDM电荷,且该些保护元件连接在一起;复数个虚拟元件,配置于该内部元件区上,且该些虚拟元件连接在一起,用以吸收于该内部元件区中产生之CDM电荷,并将之散逸至地;一外部焊垫,连接至该些保护元件其中之一,用以接收来自该保护元件之CDM电荷并将之散逸,避免该内部元件区之工作元件遭受到该CDM电荷之损害;以及一电容,设置于该内部元件区之外围并连接该保护元件与该外部焊垫,以形成一类似保护环的保护电路结构,该电容用以将来自该保护元件之CDM电荷藉由该外部焊垫散逸至地,并可吸收外来的CDM电荷而将之藉由该外部焊垫散逸至地。9.如申请专利范围第8项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该外部焊垫更连接至该些虚拟元件其中之一,用以接收来自该虚拟元件之CDM电荷并将之散逸,避免该内部元件区之工作元件遭受到该CDM电荷之损害。10.如申请专利范围第8项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该电容更连接该虚拟元件其中之一,用以将来自该虚拟元件之CDM电荷藉由该外部焊垫散逸至地。11.如申请专利范围第8项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该外部焊垫连接至一接地电压。12.如申请专利范围第8项所述之聚集电荷之CDM保护装置,其中该些保护元件的结构,系采用较易吸收电荷的结构,其包括利用一成长逐渐变小的方式,成长具有一薄氧化层之一电晶体元件当作易放电的元件,使该CDM电荷较易经该电晶体元件而散逸。图式简单说明:第一图绘示的是依照本发明一较佳实施例的一种聚集电荷之CDM保护装置的简易配置图。