保护半导体蚀刻反应室设备的装置

摘要

一种保护半导体设备反应室的装置,特别是使用于电浆蚀刻机台之保护。通常使用一种具有粗糙表面的电浆聚集环,装设于半导体机台的电浆蚀刻机台。本保护装置,电浆聚集环以石英材料制成。进一步来说,做成的电浆聚集环是以制造商圆益公司(Won IK)所提供的石英材料。同时此圆益型石英材料应该以喷沙处理后,具有粗糙表面方得用于创作中。

主权项

1.一种使用于半导体蚀刻设备上的聚集环(Focus Ring),至少包含:一以中空圆形片状环绕且具粗糙表面之本环;及一以中空环形管状延该本环直立且具粗糙表面的上环,该上环与该本环相互以冷硬焊法紧密接合以形成聚集环本体。2.如申请专利范围第1项之聚集环,其中形成上述聚集环之该粗糙表面至少包含喷沙法。3.如申请专利范围第1项之聚集环,其中上述聚集环之该粗糙表面至少包含80目(Mesh)之粗糙度。4.如申请专利范围第1项之聚集环,其中上述聚集环之该粗糙表面至少包含200目(Mesh)之粗糙度。5.如申请专利范围第1项之聚集环,其中上述聚集环之材料至少包含石英材料。6.如申请专利范围第5项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含经喷沙处理的石英材料。7.如申请专利范围第5项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含表面粗糙度为80目的石英材料。8.如申请专利范围第5项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含表面粗糙度为200目的石英材料。9.一种使用于电浆蚀刻机台上的聚集环(Focus Ring),至少包含:一本环,该本环是为以中空圆形环绕之圆形片环且具特定粗糙表面;及一上环,该上环是为以中空环形延该本环直立的管状环且具特定粗糙表面,该上环与该本环相亘以冷硬焊法紧密接合以形成聚集环本体。10.如申请专利范围第9项之聚集环,其中形成上述聚集环之该特定粗糙表面至少包含喷沙法。11.如申请专利范围第9项之聚集环,其中上述聚集环之该特定粗糙表面至少包含80目(Mesh)之粗糙度。12.如申请专利范围第9项之聚集环,其中上述聚集环之该特定粗糙表面至少包含200目(Mesh)之粗糙度。13.如申请专利范围第9项之聚集环,其中上述聚集环之材料至少包含石英材料。14.如申请专利范围第13项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含经喷沙处理的石英材料。15.如申请专利范围第13项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含特定表面粗糙度为80目的石英材料。16.如申请专利范围第13项之聚集环,其中形成上述聚集环之材料至少包含特定表面粗糙度为200目的石英材料。图式简单说明:第一图式本创作装置与机台相关安装位置之分解图;第二图式本创作装置与机台相关安装位置之结合图;第三图式本创作装置图。