| 摘要 |
本发明系使用缓和型强介电体实施介电体层以薄膜化谋求积层陶瓷电容器的小型高容量化,而且尽管在烧中使介电体陶瓷之结晶颗粒充份成长,亦可提供仍然不会降低信赖性的积层陶瓷电容器为目的,在以ABO3表示的复合钙钛化合物的B侧包含W离子,而且A侧离子和B侧离子的比率A／B0.975以上未满l.O的复合钙钛化合物作为介电体层的构成材料，该介电体层和内部电极具有互相积层的构造,而且在该介电体层的厚度lμm以上未满9μm的积层陶瓷电容器,其特征为构成介电体层的结晶颗粒的平均粒径系和介电体层的厚度相同,或超过3μm的积层陶瓷电容器者。 |
| 主权项 |
1.一种积层陶瓷电容器,系在以ABO3表示的复合钙钛化合物的B侧含有W离子,而且将A侧离子和B侧离子的比率A/B系0.975以上未满1.0的复合钙钛化合物作为介电体层的构成材料,该介电体层和内部电极具有互相积层的构造,而且在该介电体层的厚度1m以上未满9m的积层陶瓷电容器,其特征为构成介电体层的结晶颗粒的平均粒径系等于介电体层的厚度,或大于3m。2.如申请专利范围第1项之积层陶瓷电容器,其中在该复合钙钛化合物的A侧含有Pb离子95%以上者。3.如申请专利范围第1或2项之积层陶瓷电容器,其中在该复合钙钛化合物的B侧含有至少一种Mg离子、Zn离子者。4.如申请专利范围第1或2项之积层陶瓷电容器,其中相对于该ABO3表示的复合钙钛化合物而言,作为Mn离子将添加1mol%以下的MnO或其他锰化合物者作为介电体层的构成材料者。5.如申请专利范围第1或2项之积层陶瓷电容器,其中该内部电极系属于银钯合金者。6.如申请专利范围第5项之积层陶瓷电容器,其中该银钯合金中的银比率系50%以上90%以下者。图式简单说明:第一图系从积层陶瓷电容器的剖面照片求出结晶颗粒平均粒径的方法模式图。第二图系表示从实施例1的积层陶瓷电容器的静电容量以计算求出比介电系数对于烧制温度依赖性的曲线图。第三图系表示在实施例1的积层陶瓷电容器的绝缘电阻对于烧制温度依赖性的曲线图。第四图系表示在实施例1的积层陶瓷电容器破坏电压(BDV)对于烧制温度依赖性的曲线图。第五图系表示从在第2实施例的积层陶瓷电容器的静电容量以计算求出的比介电系数对于烧制温度依赖性的曲线图。第六图系表示在实施例2的积层陶瓷电容器的绝缘电阻对于烧制温度依赖性的曲线图。第七图系表示在实施例2的积层陶瓷电容器的破坏电压(BDV)对于烧制温度依赖性的曲线图。第八图系表示从在比较例1的积层陶瓷电容器的静电电容量以计算求出的比介电系数对于烧制温度依赖性的曲线图。第九图系表示在比较例1的积层陶瓷电容器的绝缘电阻对于烧制温度依赖性的曲线图。第十图系表示在比较例1的积层陶瓷电容器的破坏电压(BDV)对于烧制温度依赖性的曲线图。 |
