发明名称 防反射构件
摘要 本发明藉由降低右侧入射光和相反侧入射光的反射率来显示令人满意的影像。一防反射构件包括一透明基板和一多层防反射膜。多层防反射膜包括由透明膜材料制成的第一透明膜,由具导电性的光吸收材料制成的第一光吸收膜,由透明材料制成的第二透射膜,由具导电性的光吸收材料制成的第二光吸收膜,以及由透明材料制成的第三透明膜。
申请公布号 TW438982 申请公布日期 2001.06.07
申请号 TW088119589 申请日期 1999.11.09
申请人 苏妮股份有限公司 发明人 荒木 宗也
分类号 G02B1/11 主分类号 G02B1/11
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种防反射构件,包括:一透明基板和形成在基板上的多层防反射膜,其中多层防反射膜包括一第一透明膜,其由透明材料制成且形成在透明基板上,以做为第一层,其光学厚度约为波长约550nm的入射光的1/8-1/4,且有一第一折射率;一第一光吸收膜,其形成在第一透明膜上,且由具导电性的光吸收材料制成;以做为第二层,其厚度经调整而小于或等于30nm;一第二透明膜,其形成在第一光吸收膜上且由透明材料制成,以做为第三层,其光学厚度约为入射光波长的1/4,且有一第二折射率;一第二光吸收膜,其形成在第二透明膜上,且由具导电性的光吸收材料制成,以做为第四层,其厚度经调整而小于或等于30nm;以及一第三透明膜,其形成在第二光吸收膜上,且由透明材料制成,以做为第五层,其厚度约为入射光波长的1/4,且有一第三折射率,而且比第一和第二折射率低,其中防反射构件防止入射在第三透明膜的光线以及入射在透明基板上的相反侧入射光线之反射,而且防反射构件具导电性。2.如申请专利范围第1项之防反射构件,其中表面电阻为小于或等于1K/。3.如申请专利范围第1项之防反射构件,其中调整第一光吸收膜和第二光吸收膜的厚度,使多层防反射膜整体透射率调节到为预透射率。4.如申请专利范围第1项之防反射构件,其中第第二光吸收膜的透射率分布在波长不短于550nm的区域之透射率有增加。5.如申请专利第1项之防反射构件,其中多层防反射膜的防反射特性使得在约450nm-650nm波长区的入射光反射率低于约1.0%。6.如申请专利范围第1项之防反射构件,其中多层防反射膜的防反射特性使得在约450nm-650nm波长区的相反侧入射光反射率低于约6.0%。7.如申请专利范围第1项之防反射构件,其中第一光吸收膜和第二光吸收膜是由金属氮化物制成,金属氮化物的导电性使多层防反射膜整体具导电性。8.如申请专利范围第7项之防反射构件,其中表面电阻为小于或等于1K/。9.如申请专利范围第7项之防反射构件,其中调整第一光吸收膜和第二光吸收膜的厚度,使多层防反射膜整体透射率调节到为预透射率。10.如申请专利范围第7项之防反射构件,其中第第二光吸收膜的透射率分布在波长不短于550nm的区域之透射率有增加。11.如申请专利范围第7项之防反射构件,其中多层防反射膜的防反射特性使得在约450nm-650nm波长区的右侧入射光反射率低于约1.0%。12.如申请专利范围第7项之防反射构件,其中多层防反射膜的防反射特性使得在约450nm-650nm波长区的相反侧入射光反射率低于约6.0%。图式简单说明:第一图为依据本发明之防反射构件一实施例的主要部分剖面图。第二图为氮化钛和镍钒氧化物光学常数的吸收分量有关的吸光系数与波长关系图。第三图为光入射在由空气/二氧化矽/氮化钛/四氮化三矽/氮化钛/四氮化三矽/玻璃组成的五层结构的二氧化矽膜时之反射率与波长关系图。第四图为光入射在防反射构件的四氮化三矽膜时之反射率与波长关系图。第五图为防反射构件的透射率与波长关系图。第六图为光入射在防反射构件的二氧化矽膜时之右侧反射光的色度分布图。第七图为光入射在由空气/二氧化矽/镍钒氧化物/四氮化三矽/氮化钛/四氮化三矽/玻璃组成的五层结构的二氧化矽层时之反射率与波长关系图。第八图为光入射在防反射构件的氮化矽膜时之反射率与波长关系图。第九图为防反射构件的反射率与波长关系图。第十图为光入射在防反射构件的二氧化矽膜时之右侧反射光的色度分布图。第十一图为光入射在由空气/二氧化矽/氮化钛/氮化矽/氮公钛/氮化矽/玻璃组成的五层结构的二氧化矽层时之反射率与波长关系图。第十二图为光入射在防反射构件的氮化矽膜时之反射率与波长关系图。第十三图为防反射构件的透射率与波长关系图。第十四图为光入射在防反射构件的二氧化矽膜时之右侧反射光的色度分布图。
地址 日本
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