| 主权项 |
1.一种制作互补型金属氧化物半导体元件(CMOS)的方法,是种互补型金属氧化物半导体元件包含一具有基底层、掩埋氧化层及半导体层堆叠结构之矽在绝缘层上(SOI)基板,其中矽在绝缘层上(SOI)基板可分成PMOS形成的第一区域以及NMOS形成的第二区域;其制作方法之特征在于:利用热氧化法将矽在绝缘层上(SOI)基板第一区域的半导体膜氧化膜形成第一场氧化膜与掩埋氧化层接触;形成一定深度的沟渠使其与矽在绝缘层上(SOI)基板第二区域半导体膜的选定区域掩埋氧化膜接触,并接着以绝缘膜填满沟渠形成第二场氧化膜;在第一场氧化膜定义的半导体膜区域形成PMOS,以及在第二场氧化膜定义的半导体膜区域形成NMOS。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成第一场氧化膜还包括步骤如下:连续在矽在绝缘层上(SOI)基板半导体膜上形成接点氧化层及氮化层;将接点氧化层及氮化层上图案使矽在绝缘层上(SOI)基板半导体膜选定区域裸露;以及在半导体膜裸露区域施以热氧化程序。3.根据申请专利范围第2项的方法,其中在形成第一场氧化膜的步骤,可藉由控制热氧化程序的温度及时间使这些场氧化膜与掩埋氧化层接触。4.根据申请专利范围第2项的方法,其中形成第二场氧化膜还包括步骤如下:形成光罩图案使矽在绝缘层上(SOI)基板的第二区域的氮化层裸露;蚀刻氮化层、裸露氮化层之下的接点氧化层部位以及半导体膜以形成沟渠使掩埋氧化层裸露;移去光罩图案;在整个结构上形成绝缘层以形成沟渠;利用氮化层作为抛光阻挡层将绝缘层抛光;以及移去氮化层、接点氧化层以及填入沟渠一定厚度的绝缘层。5.一种制作互补型金属氧化物半导体元件(CMOS)的方法,是种互补型金属氧化物半导体元件包含一具有基底层、掩埋氧化层及半导体层堆叠结构之矽在绝缘层上(SOI)基板,其中矽在绝缘层上(SOI)基板可分成PMOS形成的第一区域以及NMOS形成的第二区域;其制作方法之特征在于:连续在矽在绝缘层上(SOI)基板半导体膜上形成接点氧化层及氮化层。将接点氧化层及氮化层上图案使矽在绝缘层上(SOI)基板半导体膜选定区域裸露;以及在半导体膜裸露区域施以热氧化程序形成第一场氧化膜;形成光罩图案使矽在绝缘层上(SOI)基板第二区域选定部位裸露;蚀刻氮化层裸露部位、裸露氮化层之下的接点氧化层部位以及半导体膜以形成沟渠使掩埋氧化膜裸露;移去光罩图案;在整个结构上形成够厚的绝缘层以形成沟渠;利用氮化层作为抛光阻挡层将绝缘层抛光;蚀刻存留在第一场氧化膜的氮化层、接点氧化层、绝缘层以及沟渠内选定厚度的绝缘层;以及在第一场氧化膜定义的半导体膜部位形成PMOS,以及在第二场氧化膜定义的半导体膜部位形成NMOS。6.根据申请专利范围第5项的方法,其中在形成第一场氧化膜的步骤中,可藉由控制热氧化程序的温度及时间使场氧化膜与掩埋氧化层接触。图式简单说明:第一图为传统提供场氧化膜之矽在绝缘层上(SOI)基板制造方法的截面图。第二图A至第二图G描述根据本发明实施例之方法。 |
