| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置用元件之制造方法,其特征为,系由:(I)藉由具耐蚀刻性、且可利用蚀刻加工后之洗净来容易地除去之罩幕材,在薄膜形成装置的内壁或位于装置内之由金属或合金所构成之元件之部分面或全面,即不需形成薄膜堆积的部分,被覆用以形成复数个凹凸之罩幕;(II)对于薄膜形成装置的内壁或位于装置内之由金属或合金所构成之元件之部分面或全面,即不需形成薄膜堆积的部分,实施蚀刻加工;(III)将前述罩幕除去;的制造步骤所构成,形成之复数个凹凸部之蚀刻加工面的中心线表面粗度(Ra)为5-100(未满)m。2.一种薄膜形成装置用元件,其特征为,在薄膜形成装置内的内壁或位于装置内之由金属或合金所构成之元件之部分面或全面上,藉蚀刻加工形成有复数个凹凸,该形成之凹凸部之蚀刻加工面的中心线表面粗度(Ra)为5-100(未满)m。3.如申请专利范围第2项之薄膜形成装置用元件,其中,凹凸之间隔系一定,并形成规则地配列。4.如申请专利范围第2项之薄膜形成装置用元件,其中,在蚀刻加工面上,每单位面积(1mm2)系形成1-100000个凹部或凸部。5.如申请专利范围第3项之薄膜形成装置用元件,其中,在蚀刻加工面上,每单位面积(1mm2)系形成1-100000个凹部或凸部。6.如申请专利范围第2项之薄膜形成装置用元件,其中,各凹部的孔之平均径或凸部的平坦顶部面之平均径为3-1000m。7.如申请专利范围第3项之薄膜形成装置用元件,其中,各凹部的孔之平均径或凸部的平坦顶部面之平均径为3-1000m。8.如申请专利范围第4项之薄膜形成装置用元件,其中,各凹部的孔之平均径或凸部的平坦顶部面之平均径为3-1000m。9.如申请专利范围第5项之薄膜形成装置用元件,其中,各凹部的孔之平均径或凸部的平坦顶部面之平均径为3-1000m。图式简单说明:第一图系显示蚀刻加工的一例之步骤的概略说明图。第二图系被处理材形成有因蚀刻加工所产生的凹凸之俯视及断面的模式图。 |
