| 主权项 |
1.一种避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,可应用于一基底上,该制程包括:形成互相平行之复数条元件隔离结构于该基底中;形成互相平行之复数条堆叠闸于该基底上,且与该些元件隔离结构互相垂直,另外在相邻之该些堆叠闸之间至少有一条预定源极线区,该预定源极线区和该些堆叠闸互相平行;形成复数个顶盖层分别于每一该些堆叠闸之上;形成复数个间隙壁分别于每一该些堆叠闸之侧壁;去除位于该预定源极线区内之该些元件隔离结构;以及形成一导线于该源极线区之该基底上。2.如申请专利范围第1项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,其中该些元件隔离结构包括浅沟渠隔离结构。3.如申请专利范围第1项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,其中该顶盖层包括以化学气相沈积法所沈积之氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,其中该间隙壁包括以化学气相沈积法所沈积之氮化矽间隙壁。5.如申请专利范围第1项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,其中形成该该导线的步骤包括:形成一导电层于该基底上;以及去除高于该顶盖层之该导电层。6.如申请专利范围第6项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,其中该导电层包括以化学气相沈积法所沈积之一掺杂多晶矽层。7.如申请专利范围第6项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,更包括进行一回火步骤。8.如申请专利范围第5项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,去除高于该顶盖层之该导电层的方法包括回蚀法。9.如申请专利范围第5项所述之避免源极自动对准的ETOX快闪记忆体源极线断路之方法,去除高于该顶盖层之该导电层的方法包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图是ETOX快闪记忆胞之结构俯视示意图;第二图A是第一图切线A-A'之结构剖面示意图;第二图B是第一图切线B-B'之结构剖面示意图;第三图是习知ETOX快闪记忆体源极线制造流程剖面图,其中第三图是第一图切线Ⅲ-Ⅲ'之剖面结构延伸图;第四图为依照本发明一较佳实施例的一种ETOX快闪记忆体之布局俯视示意图;第五图A-第五图B与第六图A-第六图B是依照本发明一较佳实施例的一种ETOX快闪记忆体源极线之制造流程剖面图,其中第五图A至第五图B对应于第四图切线V-V',而第六图A-第六图B对应于第四图的切线VI-VI'。 |
