| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一沟渠,使该基底形成一突起区域与一凹陷区域,其中,该突起区域上已覆盖一罩幕层;于该基底上形成一阻挡厚;在该基底上形成一填充层,以填满该沟渠,并且覆盖该突起区域上方之该罩幕层;于该沟渠上方之该填充层上形成一研磨缓冲层;将一物种植入于该填充层中,该物种系可提升该填充层之研磨速率,但不影响该研磨缓冲层之研磨速率;进行一化学机械研磨制程,以去除该研磨缓冲层与部分该填充层,其中,该研磨缓冲层在该研磨制程中具有低研磨速率,而植有该物种之该填充层在该研磨制程中具有高研磨速率;以及去除该罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该填充层包括氧化矽;该物种包括硼。3.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该填充层系以臭氧和四乙氧基矽烷为反应气体,利用次常压化学气相沉积法所形成之氧化矽。4.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该填充层系以高密度电浆化学气相沉积法所形成之氧化矽。5.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中将该物种植入于该填充层中之步骤系以一离子植入步骤施行者。6.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该离子植入步骤所植入之硼原子的剂量约为每立方公分1E13原子至每立方公分5E15原子。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该离子植入步骤所植入之硼原子的能量约为70KeV至150KeV。8.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中进行该离子植入步骤之后再包括施行一回火步骤。9.如申请专利范围第2项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该阻挡层之材质系可防止该物种扩散至该基底中者。10.如申请专利范围第9项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该阻挡层之材质包括氮化矽。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,更包括于该沟渠之表面与该阻挡层之间形成一衬氧化层。12.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该阻挡层之材质系可防止该物种扩散至该基底中者。13.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,更包括于该沟渠之表面与该阻挡层之间形成一衬层。14.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一垫氧化层:于该垫氧化层上形成一罩幕层,该罩幕层具有一开口,裸露出该垫氧化层;以该罩幕层为去除罩幕,去除该开口所裸露之该垫氧化层与其下方之部分该基底,以在该基底中形成一沟渠;于该沟渠所裸露之该基底的表面形成一衬氧化层;于该基底上形成一氮化矽阻挡层;于该基底上形成一氧化矽填充层,以填满该沟渠;于该氧化矽填充层上形成一氮化矽缓冲层;以化学机械研磨法去除部分该氮化矽缓冲层,该部分该氮化矽缓冲层系覆盖于该沟渠以外之该氧化矽填充层之上;进行一离子植入制程,将硼原子植入于该氧化矽填充层中,以增加该氧化矽填充层之研磨速率;进行一化学机械研磨制程,以去除该氮化矽缓冲层与部分该氧化矽填充层,其中,该氮化矽缓冲层在该研磨制程中具有低研磨速率,而植有硼原子之该氧化矽填充层在该研磨制程中具有高研磨速率;以及去除该罩幕层与该垫氧化层。15.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中进行该离子植入步骤之后更包括施行一回火步骤。16.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该氧化矽填充层系以臭氧和四乙氧基矽烷为反应气体,利用次常压化学气相沉积法之方式形成者。17.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该氧化矽填充层系以高密度电浆化学气相沉积法之方式形成者。18.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该离子植入步骤所植入之硼原子的剂量约为每立方公分1E13原子至每立方公分5E15原子。19.如申请专利范围第14项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该离子植入步骤所植入之硼原子的能量约为70KeV至150KeV。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知一种浅沟渠隔离区之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图G,其绘示依照本发明一较佳实施例,一种浅沟渠隔离区之制造流程的剖面示意图。 |
