| 主权项 |
1.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上,及藉由氧化第二氮化物 膜之一表面以制成一第二氧化物膜; 一制程,用于制成一第三氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第三氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第二氮化物膜及第三氮化物膜做为一光 罩而设置于第二氮化物膜及第三氮化物膜之间,随 后制成一槽道; 一制程,用于藉由蚀刻以去除槽道下方之第二氮化 物膜及第二氮化物膜下方之第一氧化物膜,随后曝 露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜且连同使第二氮化 物膜及第三氮化物膜面向槽道; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分; 一制程,用于去除第一氧化物膜、第二氮化物膜及 第二氧化物膜;及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。2.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上,及藉由氧化第二氮化物 膜之一表面以制成一第二氧化物膜; 一制程,用于制成一第三氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第三氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于制成一第四氮化物膜; 一制程,用于回蚀第四氮化物膜,随后曝露一属于 第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第二氮化物膜、第三氮化物膜及第四氮 化物膜做为一光罩而设置于第二氮化物膜及第三 氮化物膜之间,随后制成一槽道; 一制程,用于藉由蚀刻以去除槽道下方之第二氮化 物膜及第二氮化物膜下方之第一氧化物膜,随后曝 露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜且连同使第二氮化 物膜、第三氮化物膜及第四氮化物膜面向槽道; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分; 一制程,用于去除第一氧化物膜、第二氮化物膜及 第二氧化物膜;及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。3.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上,及藉由氧化第二氮化物 膜之一表面以制成一第二氧化物膜; 一制程,用于制成一第三氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第三氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于制成一第四氮化物膜; 一制程,用于回蚀第四氮化物膜,随后曝露一属于 第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于去除第一氮化物膜上方之第二氧化物 膜及第二氮化物膜; 一制程,藉由回蚀第一氮化物膜、第三氮化物膜及 第四氮化物膜以减小膜厚度,及降低延伸垂直于半 导体基材一顶表面方向中之第二氮化物膜高度; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第二氮化物膜、第三氮化物膜及第四氮 化物膜做为一光罩而设置于第二氮化物膜及第三 氮化物膜之间,随后制成一槽道; 一制程,用于藉由蚀刻以去除槽道下方之第二氮化 物膜及第二氮化物膜下方之第一氧化物膜,随后曝 露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜且连同使第二氮化 物膜、第三氮化物膜及第四氮化物膜面向槽道; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分; 一制程,用于去除第一氧化物膜、第二氮化物膜及 第二氧化物膜;及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。4.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氧化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第二氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第一氮化物膜及第二氮化物膜做为一光 罩而设置于第一氮化物膜及第二氮化物膜之间,且 连同第一氧化物膜位于第二氧化物膜下方,随后制 成一槽道以曝露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜及第二氮化物膜; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分上; 一制程,用于去除第一氧化物膜及第二氧化物膜; 及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。5.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氧化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第二氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于制成一第三氮化物膜; 一制程,用于回蚀第三氮化物膜,随后曝露出一属 于第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第一氮化物膜、第二氮化物膜及第三氮 化物膜做为一光罩而设置于第一氮化物膜及第二 氮化物膜之间,且连同第一氧化物膜位于第二氧化 物膜下方,随后制成一槽道以曝露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜、第二氮化物膜及 第三氮化物膜; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分上; 一制程,用于去除第一氧化物膜及第二氧化物膜; 及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。6.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氧化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第二氧化物膜 上; 一制程,用于遮罩一属于第二氮化物膜且依第一氮 化物膜之一端部分以自一阶级部分之一中央部分 延伸至一底部分之部分,及用于回蚀阶级部分之一 顶部分,随后曝露出一属于第二氧化物膜且位于第 一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于制成一第三氮化物膜; 一制程,用于回蚀第三氮化物膜,随后曝露出一属 于第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于去除第一氮化物膜上方之第二氧化物 膜; 一制程,用于减小第一氮化物膜、第二氮化物膜及 第三氮化物膜之膜厚度; 一制程,用于藉由乾性蚀刻以去除第二氧化物膜, 第二氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面, 且系使用第一氮化物膜、第二氮化物膜及第三氮 化物膜做为一光罩而设置于第一氮化物膜及第二 氮化物膜之间,且连同第一氧化物膜位于第二氧化 物膜下方,随后制成一槽道以曝露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜、第二氮化物膜及 第三氮化物膜; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分上; 一制程,用于去除第一氧化物膜及第二氧化物膜; 及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。7.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上,及藉由氧化第二氮化物 膜之一表面以制成一第二氧化物膜; 一制程,用于制成一第三氮化物膜于第二氧化物膜 上,随后掩埋一位于部分第一氮化物膜之间之凹穴 部分; 一制程,用于回蚀第三氮化物膜,随后曝露出一属 于第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由蚀刻以去除第二氧化物膜,第二 氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面,且系 使用第二氮化物膜及第三氮化物膜做为一光罩而 设置于第一氮化物膜及第二氮化物膜之间,随后制 成一槽道; 一制程,用于藉由蚀刻以去除槽道下方之第二氮化 物膜及第二氮化物膜下方之第一氧化物膜,随后曝 露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜且连同使第二氮化 物膜及第三氮化物膜面向槽道; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分; 一制程,用于去除第一氧化物膜、第二氮化物膜及 第二氧化物膜;及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。8.一种量子细线制造方法,包含: 一制程,用于制成一第一氧化物膜于一半导体基材 上,及制成一成型之第一氮化物膜于第一氧化物膜 上; 一制程,用于制成一第二氧化物膜于第一氧化物膜 及成型之第一氮化物膜上; 一制程,用于制成一第二氮化物膜于第二氧化物膜 上,随后掩埋一位于部分第一氮化物膜之间之凹穴 部分; 一制程,用于回蚀第二氮化物膜,随后曝露出一属 于第二氧化物膜且位于第一氮化物膜上方之部分; 一制程,用于藉由蚀刻以去除第二氧化物膜,第二 氧化物膜延伸垂直于半导体基材之一顶表面,且系 使用第一氮化物膜及第二氮化物膜做为一光罩而 设置于第一氮化物膜及第二氮化物膜之间,且连同 第一氧化物膜位于第二氧化物膜下方,随后制成一 槽道以曝露出半导体基材; 一制程,用于去除第一氮化物膜及第二氮化物膜; 一制程,用于磊晶方式生长一量子细线于半导体基 材之曝露部分上; 一制程,用于去除第一氧化物膜及第二氧化物膜; 及 一制程,藉由氧化量子细线之一底部分以制成一第 三氧化物膜,随后以第三氧化物膜将量子细线隔离 于半导体基材。9.如申请专利范围第1项之量子细 线制造方法,其中 用于磊晶方式生长量子细线之制造系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 10.如申请专利范围第9项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。11.如申请专利范围第9项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。12.如申请专利范围第9项之量子细线 制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。13.如申请专利范 围第9项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 14.如申请专利范围第2项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 15.如申请专利范围第14项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。16.如申请专利范围第14项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。17.如申请专利范围第14项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。18.如申请专利范 围第14项之量子细线制造方法,其中 一铝细线利用一有机铝而制成如同量子细线。19. 如申请专利范围第3项之量子细线制造方法,其中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 20.如申请专利范围第19项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。21.如申请专利范围第19项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。22.如申请专利范围第19项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。23.如申请专利范 围第19项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 24.如申请专利范围第4项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 25.如申请专利范围第24项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。26.如申请专利范围第24项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。27.如申请专利范围第24项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。28.如申请专利范 围第24项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 29.如申请专利范围第5项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 30.如申请专利范围第29项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。31.如申请专利范围第29项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。32.如申请专利范围第29项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。33.如申请专利范 围第29项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 34.如申请专利范围第6项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 35.如申请专利范围第34项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。36.如申请专利范围第34项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。37.如申请专利范围第34项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。38.如申请专利范 围第34项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 39.如申请专利范围第7项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 40.如申请专利范围第39项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。41.如申请专利范围第39项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。42.如申请专利范围第39项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。43.如申请专利范 围第39项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 44.如申请专利范围第8项之量子细线制造方法,其 中 用于磊晶方式生长量子细线之制程系包含以下步 骤: 导送半导体基材,其上用于曝露半导体之槽道系制 成至一反应室内且排出反应室内之空气,使得反应 室达到一不高于10-6托之高真空;及随后 将一材料气体流入反应室,以利在不高于10-2托之 材料气体局部压力下执行量子细线之气态生长。 45.如申请专利范围第44项之量子细线制造方法,其 中 一矽细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、三 矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4) 其中任一者做为一材料气体,而制成如同量子细线 。46.如申请专利范围第44项之量子细线制造方法, 其中 一锗细线系利用单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及四 氟锗烷(GeF4)其中任一者做为一材料气体,而制成如 同量子细线。47.如申请专利范围第44项之量子细 线制造方法,其中 一矽锗细线系利用单矽烷(SiH4)、二矽乙烷(Si2H6)、 三矽丙烷(Si3H8)、二氯矽烷(SiH2Cl2)及四氯矽烷(SiCl4 )其中任一者以及单锗烷(GeH4)、二锗乙烷(Ge2H6)及 四氟锗烷(GeF4)其中任一者,构成之混合气体做为一 材料气体,而制成如同量子细线。48.如申请专利范 围第44项之量子细线制造方法,其中 一铝细线系利用一有机铝而制成如同量子细线。 49.一种半导体装置,具有一源区、一汲区、一位于 源区及汲区之间之渠道区、一用于控制一渠道电 流流过渠道区之闸区、一位于闸区及渠道区之间 之浮动闸区、一位于浮动闸区及闸区之间之第一 绝缘膜、及一位于渠道区及浮动闸区之间之第二 绝缘膜, 浮动闸区系由一量子细线组成,且量子细线系以申 请专利范围第1至48项任一项之量子细线制造方法 制成。50.一种半导体装置,具有一源区、一汲区、 一位于源区及汲区之间之渠道区、一用于控制一 渠道电流流过渠道区之闸区、及一位于渠道区及 闸区之间之闸绝缘膜, 渠道区系由一量子细线组成,且量子细线系以申请 专利范围第1至48项任一项之量子细线制造方法制 成。51.一种半导体装置,包含: 一量子细线,系以申请专利范围第1至48项任一项之 量子细线制造方法制成; 一第一绝缘膜及一第二绝缘膜,系藉由量子细线之 介置而垒层; 一第一电极,系制成于第一绝缘膜上;及 一第二电极,系制成于第二绝缘膜上,藉此 当一电压施加通过第一电极及第二电极时,量子细 线即发出光线。52.一种半导体装置,包含: 一量子细线,系以申请专利范围第1至48项任一项之 量子细线制造方法制成; 一n型杂质区,系制成于量子细线之一部分内;及 一p型杂质区,系制成接触于量子细线上之n型杂质 区,藉此 量子细线之二杂质区之一结区系当一电压施加通 过n型杂质区及p型杂质区时,量子细线即发出光线 。53.一种半导体装置,具有一量子细线,系以申请 专利范围第1至48项任一项之量子细线制造方法制 成,其中 量子细线之一第一区之一禁用带宽系制成小于第 一区之二侧上之二第二区之一禁用带宽,及当一电 压施加通过二区域时,第一区即发出光线。图式简 单说明: 第一图A至第一图K系一基材之截面图,揭示本发明 之一量子细线制造方法; 第二图A至第二图E系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K者之一量子细线制造方法; 第三图A至第三图C系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K者及第二图A-第二图E者之一量子 细线制造方法; 第四图A至第四图K系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K至第三图A-第三图C者之一量子细 线制造方法; 第五图A至第五图E系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K至第四图A-第四图K者之一量子细 线制造方法; 第六图A至第六图C系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K者至第五图A-第五图E者之一量子 细线制造方法; 第七图A至第七图J系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K至第六图A-第六图C者之一量子细 线制造方法; 第八图A至第八图J系一基材之截面图,揭示不同于 第一图A-第一图K至第七图A-第七图J者之一量子细 线制造方法; 第九图A至第九图C系揭示一做为本发明一半导体 装置之非挥发性记忆体; 第十图A至第十图C系揭示一做为一半导体装置且 不同于第九图A-第九图C者之非挥发性记忆体; 第十一图系揭示一做为一半导体装置且不同于第 九图A-第九图C者及第十图A-第十图C者之发光装置; 第十二图A及第十二图B系揭示一做为一半导体装 置且不同于第九图A-第九图C至第十一图者之发光 装置以及装置之带状结构; 第十三图A至第十三图E系揭示一制造一发光装置 之制程,发光装置做为一半导体装置且不同于第九 图A-第九图C至第十二图A及第十二图B者; 第十四图系揭示第十三图A-第十三图E中所示发光 装置之带状结构; 第十五图A至第十五图D系揭示采用习知各向异性 蚀刻之矽量子细线制造方法制程; 第十六图A至第十六图C系揭示采用习知侧壁法之 量子细线制造方法制程;及 第十七图A至第十七图G系揭示将二矽晶圆相互黏 合之习知量子细线制造方法制程。 |
