| 主权项 |
1.一种减少微影制程旁瓣之方法,该方法包括: 提供一基底; 在该基底上形成一光阻层; 以一光罩对该光阻层进行曝光; 对曝光过之该光阻层进行一后曝光烘烤步骤;以及 对该光阻层进行显影。2.如申请专利范围第1项所 述之减少微影制程旁瓣之方法,其中该后曝光烘烤 步骤系在温度约摄氏130度下进行。3.如申请专利 范围第1项所述之减少微影制程旁瓣之方法,其中 该后曝光烘烤步骤系进行约90秒。4.如申请专利范 围第1项所述之减少微影制程旁瓣之方法,其中形 成该光阻层后,进行曝光前,更进一步包括对该光 阻层进行一软烤步骤,且该软烤步骤之温度约摄氏 90度,进行约60秒。5.一种减少微影制程旁瓣之方法 ,该方法包括: 提供一基底; 在该基底上形成一光阻层; 进行一软烤步骤; 以一光罩对该光阻层进行曝光; 对曝光过之该光阻层进行一后曝光烘烤步骤;以及 对该光阻层进行显影。6.如申请专利范围第5项所 述之减少微影制程旁瓣之方法,其中该后曝光烘烤 步骤系在温度约摄氏130度下进行。7.如申请专利 范围第5项所述之减少微影制程旁瓣之方法,其中 该后曝光烘烤步骤系进行约90秒。8.如申请专利范 围第5项所述之减少微影制程旁瓣之方法,其中形 成该该软烤步骤之温度约摄氏90度,进行约60秒。 图式简单说明: 第一图绘示光阻层在利用传统的相移式光罩进行 曝光及显影后之剖面图。 第二图绘示曝光剂量与残留光阻厚度之关系图。 第三图绘示在不同的后曝光烘烤温度下得到的曝 光剂量与残留光阻厚度之关系图。 第四图绘示在减弱刑相移式光罩上的接触窗图形 。 第五图a绘示利用第四图之光罩,以传统的微影制 程所得之曝光结果。 第五图b绘示利用第四图之光罩,以本发明之制程 所得之曝光结果。 |
