| 主权项 |
1.一种积垢抑制剂,其特征为包含在醛、酚化合物 与在芳香环上经羟基化之芳香羧酸间之缩合产物, 该醛系可在邻位及/或对位上与芳香环上之羟基缩 合的醛,该酚化合物系为单-或多羟基化酚,其中至 少两个相对于一或多个羟基之邻位及/或对位系空 余的,或该酚化合物系化学式(I)之化合物: 其中m为1.2或3,及R和R1分别系选自包括氢、卤素、( C1-5)烷基、羟基及(C1-5)烷氧羰基,该在芳香环上经 羟基化之芳香羧酸系化学式II之化合物 其中R2系选自包括氢、羟基、(C1-5)烷氧基、(C1-5) 烷基、羟基(C1-5)烷基、卤素、苯基及羟苯基;R3与R 2之定义相同,但不包括氢;x及虚线可一起代表化学 式III之邻位与苯环缩合的二价基根 其中p系选自1或2之整数,或者其代表不存在任何基 ;其限制条件为: a)当x及虚线一起代表化学式III之残基时,至少两个 相对于一或多个羟基之邻位及/或对位必须系空余 的; b)当x及虚线一起代表不存在任何基时,R2或R3之至 少一者代表羟基,及至少两个相对于一或多个羟基 之邻位及/或对位必须系空余的。2.如申请专利范 围第1项之积垢抑制剂,其系呈酸性形态或呈以硷 性试剂使成对应盐类的形态。3.一种制备如申请 专利范围第1或2项之积垢抑制剂之方法,其特征为 在强硷试剂之存在下,在自40至120℃之温度范围内, 使醛、酚化合物及在芳香环上经羟基化之芳香羧 酸以自0.6-1.2:0.05-0.95:0.95-0.05之范围的莫耳比反应 自1及8小时范围内之时间长度。4.如申请专利范围 第3项之方法,其中先将醛与酚化合物反应,或者与 芳香环上经羟基化之芳香羧酸反应,接着再分别将 所制得之二羟甲基化合物与芳香环上经羟基化之 芳香羧酸或酚化合物反应。5.如申请专利范围第1 或2项之积垢抑制剂,其可包含其中一种或多种之 积垢抑制剂以及适当的赋形剂。6.如申请专利范 围第5项之积垢抑制剂,其中该赋形剂系液体。7.如 申请专利范围第1项之积垢抑制剂,其用于在氯乙 烯或醋酸乙烯酯,或其混合物,在存在或不存在可 与其聚合之其他单体或聚合物之聚合方法中。8. 如申请专利范围第1项之积垢抑制剂,其系被涂层 于聚合反应器之内壁。 |
