| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monolithisch integrierter Halbleiterbauelemente in einem Ausgangswafer, wobei in einer auf dem Ausgangswafer aufgebrachten polykristallinen Siliziumschicht zusätzlich wenigstens eine Polysiliziumdiode integriert wird. Es ist vorgesehen, dass die Dotierung der Ladungsträgergebiete (32', 36') derwenigstens einen Polysiliziumdiode (14) gleichzeitig mit der Dotierung der Funktions-Ladungsträgergebiete (32, 36) des Halbleiterbauelementes (10) erfolgt.</p> |
