SEMICONDUCTOR CIRCUIT ARRANGEMENT AND A METHOD FOR PRODUCING SAME

摘要

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltungsanordnung mit einem in einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitfähigkeitstyps integriert ausgebildeten Schaltungselement, welches wenigstens einen Steueranschluss (G1, G2) sowie einen ersten (D) und zweiten Elektrodenanschluss (S) aufweist, wobei der erste Elektrodenanschluss (D) durch eine innerhalb einer in dem Halbleitersubstrat eingebetteten Anschlusswanne eines zweiten, gegenüber dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps und einer sich innerhalb der Anschlusswanne befindenden Unterwannenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps, der jedoch gegenüber der Anschlusswanne höher dotiert ist, ausgebildet ist. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass der in der Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates ausgebildete, dem ersten Elektrodenanschluss (D) zugeordnete Unterwannenbereich des zweiten Leitfähigkeitstyps vor dem Wannenbereich des ersten Leitfähigkeitstyps des wenigstens einen Steueranschlusses endet.