发明名称 稳定和受控的电子源,电子源的矩阵系统以及它们的生产的方法
摘要 提出一种电子源,其中场致发射体由在基片上外延地生长的晶须构成。镇流电阻和激活区域被放置在场致发射体的实体中和或表面上。镇流电阻可以以具有n-n+,p-p+,p-n半导体结的形状的一个势垒或与荷电载流子流交叉的绝缘层来实现。用于控制这样的电子源的元件被垂直地排列。这允许大大地减小元件所化费的面积,这样,提高器件的分辨力和扩展其应用领域。这样,由于晶须生长场致发射体,有可能在强电场下由低电压控制发射电流。
申请公布号 CN1298551A 申请公布日期 2001.06.06
申请号 CN99805616.2 申请日期 1999.04.30
申请人 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫 发明人 叶夫根尼·因维维奇·吉瓦吉佐夫;M·E·吉瓦吉佐夫;V·I·埃尔肖夫;N·I·曼施纳
分类号 H01J1/30;H01J9/02 主分类号 H01J1/30
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 罗朋;王忠忠
主权项 1.包括场致发射体、基片、荷电载流子源、至少一个镇流电阻的电子源,其中场致发射体是由在基片上外延生长的晶须实现的;至少一个镇流电阻以呈现为场致发射体中的边界的势垒来实现,边界由带有不同种类的导电性的材料的接触而构成。
地址 俄罗斯莫斯科