电子器件

摘要

本发明涉及一种表面波器件及其制造方法,包括一个在压电衬底上形成的芯片(2),在所述芯片(IDT变换器及触片等)上形成导电构件,底板(3)带有与芯片上的导电构件相接触的外接触元件,一个以不漏气密封方式安装在所述底板上的框架(4),所述芯片放置在该框架内,并且与所述框架间隔开。在芯片(2)和底板(3)之间的区域封离有一个金箔(5),而在框架(4)和金箔(5)之间的区域填充了密封结合物(6),所述芯片(2)以及密封结合物(6)和框架(4)外面采用镀锌的外壳(7)或保护罩加以保护,保护罩的边缘(8)紧靠在底板(3)上,并且进行不漏气的密封处理。

主权项

1、一种电子器件，特别是采用声学表面波工作的OFW器件，该器件的压电衬底上具有一个芯片，在芯片上形成有导电构件-IDT转换器、触片和类似部件，该电子器件还包括一个底板，它带有从外面与芯片上的导电构件相接触的外接触元件，一个以不漏气密封方式安装在所述底板上的框架，所述芯片放置在该框架内，并且与所述框架间隔开，其特征在于，在芯片(2)和底板(3)之间所形成的空间上气密地覆盖一层薄膜(5)，而在框架(4)和薄膜之间的空间区域内填充灌注料(6)，所述芯片以及灌注料和框架外面采用可电镀材料形成的外壳涂层(7)加以保护，该保护涂层的边缘(8)紧贴在底板上。