| 发明名称 | 多孔材料 | ||
| 摘要 | 公开了在电子元件制造中有用的具有低介电常数的多孔介电材料,以及制备这种多孔介电材料的方法。还公开了制作含有这种多孔介电材料的集成电路的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1297963A | 申请公布日期 | 2001.06.06 |
| 申请号 | CN00131000.3 | 申请日期 | 2000.09.30 |
| 申请人 | 希普雷公司 | 发明人 | C·S·阿伦;N·安南;R·M·布兰肯实珀;M·K·噶拉格尔;R·H·古若;A·A·拉莫拉;尤余建 |
| 分类号 | C08L101/12;C08K5/541 | 主分类号 | C08L101/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 黄淑辉 |
| 主权项 | 1、制备多孔介电材料的方法，包括以下步骤：a)在半熔阶段的介电材料中分散可除去的聚合物孔隙原；b)固化半熔阶段的介电材料以形成孔隙原基本上没有降解的介电基材；和c)将介电基材置于至少部分除去孔隙原以形成多孔介电材料而基本上不降解介电材料的条件下；其中孔隙原与半熔阶段的介电基材基本上是相容的。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||