发明名称 Kondensator für Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要 Die Erfindung betrifft einen Kondensator für ein Halbleiterspeicherbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: auf einem Halbleitersubstrat wird eine untere Elektrode ausgebildet; die Oberfläche der unteren Elektrode wird nitriert bzw. nitrid-behandelt, um so die Bildung einer natürlichen Oxidschicht auf deren Oberfläche zu verhindern; als dielektrische Schicht wird auf der Oberseite der unteren Elektrode eine Ta¶2¶O¶5¶-Schicht ausgebildet; auf der Oberseite der Ta¶2¶O¶5¶-Schicht wird eine leitende Sperrschicht ausgebildet, die aus einer Siliziumnitridschicht besteht; und auf der Oberseite der leitenden Sperrschicht wird eine obere Elektrode ausgebildet.
申请公布号 DE10032213(A1) 申请公布日期 2001.05.31
申请号 DE20001032213 申请日期 2000.07.03
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. 发明人 JOO, KWANG CHUL;LEE, KEE JEUNG;HAN, IL KEOUN
分类号 C23C16/40;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人
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