发明名称 |
Kondensator für Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft einen Kondensator für ein Halbleiterspeicherbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Das Verfahren umfasst die folgenden Schritte: auf einem Halbleitersubstrat wird eine untere Elektrode ausgebildet; die Oberfläche der unteren Elektrode wird nitriert bzw. nitrid-behandelt, um so die Bildung einer natürlichen Oxidschicht auf deren Oberfläche zu verhindern; als dielektrische Schicht wird auf der Oberseite der unteren Elektrode eine Ta¶2¶O¶5¶-Schicht ausgebildet; auf der Oberseite der Ta¶2¶O¶5¶-Schicht wird eine leitende Sperrschicht ausgebildet, die aus einer Siliziumnitridschicht besteht; und auf der Oberseite der leitenden Sperrschicht wird eine obere Elektrode ausgebildet.
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申请公布号 |
DE10032213(A1) |
申请公布日期 |
2001.05.31 |
申请号 |
DE20001032213 |
申请日期 |
2000.07.03 |
申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
JOO, KWANG CHUL;LEE, KEE JEUNG;HAN, IL KEOUN |
分类号 |
C23C16/40;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/321;H01L21/8242;H01L27/108;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
C23C16/40 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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