| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine maskenprogrammierbare ROM-Speichervorrichtung sowie ein dazugehöriges Herstellungsverfahren, bei dem zur Erhöhung der Ausbeute und zur Verringerung der Defektdichte in nicht programmierten Speicherzellen Drain/Source-Kontakte (4) unmittelbar auf Isolationsgebiete (1) gesetzt werden.</p> |
