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Eine Halbleitervorrichtung weist einen Siliziumbereich (1) des ersten Leitungstyps, eine poröse Siliziumschicht (2), die innerhalb des Siliziumbereichs (1) als eine begrabene Schicht gebildet ist, und einen Sourcebereich (3a) und einen Drainbereich (4a) des zweiten Leitungstyps, der sich von dem ersten Leitungstyp unterscheidet, selektiv gebildet in einer oberen Oberfläche des Siliziumbereichs (1) auf. Untere Oberflächen des Sourcebereichs (3a) und des Drainbereichs (4a) sind angrenzend oberhalb einer oberen Oberfläche der porösen Siliziumschicht (2) gebildet. Als eine Folge erreichen Verarmungsschichten (8) in pn-Übergängen zwischen dem Siliziumbereich (1) und den unteren Oberflächen des Sourcebereichs (3a) und des Drainbereichs (4a) das Innere der porösen Siliziumschicht (2). Mit dieser Struktur ist eine Halbleitervorrichtung, die einen schnelleren Betrieb und einen geringeren Stromverbrauch erreicht, während die Stabilität im Betrieb eines MOSFETs gesichert wird und ein Verfahren zum Herstellen derselben angegeben.
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