| 发明名称 | 薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要的方法是,采用向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜,对该涂敷膜进行热处理的办法形成所希望的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1297581A | 申请公布日期 | 2001.05.30 |
| 申请号 | CN00800436.6 | 申请日期 | 2000.03.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 汤田坂一夫;下田达也;关俊一 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/208;H01L21/316;H01L21/288;G02F1/1368 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;杨丽琴 |
| 主权项 | 1．一种薄膜晶体管的制造方法，该方法是具有硅膜、栅极绝缘膜、栅极电极用导电膜、层间绝缘膜、电极和布线用导电膜的各种薄膜的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：上述硅膜的形成，含涂敷含有硅原子的液体材料形成涂敷膜的工序，和其次使该涂敷膜变成为硅膜的热处理工序和/或光照射工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||