| 发明名称 |
Silicon/germanium transistor where formation of source/drain regions using mask layer occurs before deposition of gate dielectric |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2356739(A) |
申请公布日期 |
2001.05.30 |
| 申请号 |
GB20000019481 |
申请日期 |
2000.08.08 |
| 申请人 |
* LUCENT TECHNOLOGIES INC |
发明人 |
YI * MA;ALLEN * YEN |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/20;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/423 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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