| 发明名称 | 硅膜成形方法 | ||
| 摘要 | 一种硅膜成形方法,包括:将包含无碳的环状硅烷化合物和/或硼或磷改性的硅烷化合物的溶液涂布到基板上以形成硅前体膜,然后对该膜实施热和/或光处理,从而将硅前体转化为半导体硅。该方法可用来以低成本、容易而又简单地提供作为性能优良的电子材料的硅膜,因为它不包括DVD之类的方法所涉及的真空加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1297577A | 申请公布日期 | 2001.05.30 |
| 申请号 | CN00800439.0 | 申请日期 | 2000.03.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社;捷时雅株式会社 | 发明人 | 下田达也;宫下悟;关俊一;古泽昌宏;汤田坂一夫;竹内安正;松木安生 |
| 分类号 | H01L21/208;C01B33/02 | 主分类号 | H01L21/208 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴大建;邰红 |
| 主权项 | 1．一种硅膜成形方法，其特征在于在基板上涂布含有环状硅化合物的溶液，该硅化合物由通式SinXm代表，其中n是等于或大于5的整数，m是等于n、2n-2或2n的整数，X是氢原子和/或卤素原子。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||