| 主权项 |
1.一种光罩图案,包含复数个遮光图案,其中该复数个遮光图案中的每一遮光图案包含:一第一区域,实质上为长条形,其包含两第一长边与两第一短边;与两第二区域,实质上为长条形,其分别包含两第二长边与两第二短边,其中该两第二短边的其一邻接该两第一短边的其一,且该第二短边的长度小于该第一短边的长度。2.依申请专利范围第1项之光罩图案,系用于在微影制程中将该复数个遮光图案转移到半导体基板上,以于快闪记忆体制程中定义出浮动闸极区。3.依申请专利范围第1项之光罩图案,其中该第二短边的长度介于0.18至0.4m的范围内。图式简单说明:第一图系在快闪记忆体的制程中,习用的浮动闸极区光罩图案以及字元线修边区光罩图案的示意图;第二图A与第二图B系执行第二微影制程前之快闪记忆体构造,其中第二图A系对应到第一图中A-A'连线的剖面图、与第二图B系对应到第一图中B-B'连线的剖面图;第三图系执行第二微影制程后,对应到第一图中B-B'连线的快闪记忆体剖面图;第四图A与第四图B系执行字元线修边蚀刻步骤后之快闪记忆体构造,其中第四图A系对应到第一图中A-A'连线的剖面图、与第四图B系对应到第一图中B-B'连线的剖面图;第五图系本创作之定义浮动闸极区之光罩图案;第六图A至第六图C系执行第二微影制程前之快闪记忆体构造,其中第六图A系对应到第五图中A-A'连线的剖面图、第六图B系对应到第五图中B-B'连线的剖面图、与第六图C系对应到第五图中C-C'连线的剖面图;第七图A至第七图C系执行第二微影制程后之快闪记忆体构造,其中第七图A系对应到第五图中A-A'连线的剖面图、第七图B系对应到第五图中B-B'连线的剖面图、与第七图C系对应到第五图中C-C'连线的剖面图;与第八图A至第八图C系执行字元线修边蚀刻步骤后之快闪记忆体构造,其中第八图A系对应到第五图中A-A'连线的剖面图、第八图B系对应到第五图中B-B'连线的剖面图、与第八图C系对应到第五图中C-C'连线的剖面图。 |
