| 主权项 |
1.一种具有低电压操作功能及低功率之石英振荡器,包括:一并联之反相器及石英,该石英具有一石英输入端及一石英输出端;一电压源;一非二极体连接式上夹止装置,串联于该反相器与该电压源之间;一接地端;一非二极体连接式下夹止装置,串联于该反相器与该接地端之间;及一回馈控制型开关,其具有一对连接该石英输入端之开关控制端,一连接该石英输出端之开关输入端,和一连接该非二极体连接式上、下夹止装置之控制端之开关输出端,其中该开关输出端上之电压系依该对开关控制端及该开关输入端上之电压决定,用以于振荡时控制该非二极体连接式上、下夹止装置之导通与关闭。2.如申请专利范围第1项所述之振荡器,其中该回馈控制型开关为一CMOS传输闸。3.如申请专利范围第1项所述之振荡器,其中该非二极体连接式上夹止装置为一P型电晶体,其源极连接该电压源,其汲极连接该反相器。4.如申请专利范围第1项所述之振荡器,其中该非二极体连接式下夹止装置为一N型电晶体,其源极连接该接地端,其汲极连接该反相器。5.一种具有低电压操作功能及低功率之石英振荡器,包括:一并联之反相器及石英,该石英具有一石英输入端及一石英输出端;一电压源;一非二极体连接式上夹止装置,串联于该反相器与该电压源之间;一延迟元件,具有一延迟输入端,连接该石英输出端,和一延迟输出端,连接该非二极体连接式上、下夹止装置之控制端,该延迟输出端上之电压依该延迟输入端上之电压决定,用以于振荡时控制该非二极体连接式上、下夹止装置之导通与关闭。6.如申请专利范围第5项所述之振荡器,其中该延迟元件为一电阻。7.如申请专利范围第5项所述之振荡器,其中该延迟元件为由MOS电晶体组成。8.一种具有低电压操作功能及低功率之石英振荡器,包括:一并联之反相器及石英,该石英具有一石英输入端及一石英输出端;一接地端;一非二极体连接式夹止装置,串联于该反相器与该接地端之间;一延迟元件,具有一延迟输入端,连接该石英输出端,和一延迟输出端,连接该非二极体连接式夹止装置之控制端,该延迟输出端上之电压依该延迟输入端上之电压决定,用以于振荡时控制该非二极体连接式夹止装置之导通与关闭。9.如申请专利范围第8项所述之振荡器,其中该延迟元件为一电阻。10.如申请专利范围第8项所述之振荡器,其中该延迟元件为由MOS电晶体组成。11.一种具有低电压操作功能及低功率之石英振荡器,包括:一并联之反相器及石英,该石英具有一石英输入端及一石英输出端;一电源端;一非二极体连接式夹止装置,串联于该反相器与该电源端之间;一延迟元件,具有一延迟输入端,连接该石英输出端,和一延迟输出端,连接该非二极体连接式夹止装置之控制端,该延迟输出端上之电压依该延迟输入端上之电压决定,用以于振荡时控制该非二极体连接式夹止装置之导通与关闭。12.如申请专利范围第11项所述之振荡器,其中该延迟元件为一电阻。13.如申请专利范围第11项所述之振荡器,其中该延迟元件为由MOS电晶体组成。图式简单说明:第一图系显示传统Pierce振荡器之电路示意图。第二图系显示传统低功率振荡器之电路示意图。第三图系显示本发明一实施例之具有低电压操作功能及低功率之振荡器之电路示意图。第四图系显示本发明另一实施例之具有低电压操作功能及低功率之振荡器之电路示意图。 |
