| 主权项 |
1.一种半导体构装之连线结构,该半导体构装之连线结构至少包含:一基板,其上形成有至少一个第一导电区域连接到至少一个第二导电区域;以及防护装置形成于该基板之该第二导电区域的部份表面上,其功用在防止后续制程中因焊锡溢流造成的短路,而只形成于该第二导电区域之部份表面的目的,在于增加该基板与一具有复数个焊锡凸块之晶粒间的空隙高度,使后续底胶填充的速度更快。2.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之第一导电区域系一覆晶接合焊垫,其至少包含铜。3.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之第二导电区域至少包含铜导线,其用来与外来环境作电性连接,以便作讯号传递。4.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之防护装置系一任意形状的焊锡掩模。5.如申请专利范围第4项之结构,其中上述之焊锡掩模的放置位置,即其与该第一导电区域的距离,可以控制该焊锡凸块的形状与高度。6.如申请专利范围第4项之结构,其中上述之焊锡掩模至少包含热烘烤硬化型环氧树酯。7.如申请专利范围第4项之结构,其中上述之焊锡掩模至少包成紫外光烘烤硬化型丙醯酸醋酯。8.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之后续制程至少包含将该具有复数个焊锡凸块之晶粒装置于该基板之第一导电区域上。9.如申请专利范围第8项之结构,更包含一底胶填充于该基板与该晶粒之间,其可提高该焊锡凸块与该基板之该第一导电区域间的接点寿命。10.如申请专利范围第9项之结构,其中上述之底胶至少包含聚亚醯胺。11.如申请专利范围第9项之结构,其中上述之底胶至少包成矽胶。12.如申请专利范围第9项之结构,其中上述之底胶至少包含环氧树酯。13.一种半导体构装之连线结构,该半导体构装之连线结构至少包含:一基板,其上形成有至少一个导电焊垫连接到至少一个导线区域,且经由该导线区域与外来环境作电性连接,以便作讯号传递;一具有复数个焊锡凸块之晶粒,该复数个焊锡凸块系用来作为半导体内部电路与外界连接的通道,该晶粒则藉由该复数个焊锡凸块装置于该基板之导电焊垫上;一焊锡掩模形成于该基板之该导线区域的部份表面上,其功用在防止上述制程中因焊锡溢流造成的短路,而只形成于该导线区域之部份表面的目的,在于增加该基板与该具有复数个焊锡凸块之晶粒间的空隙高度,使后续底胶填充的速度更快;以及一底胶填充于该基板与该晶粒之间,其可提高该焊锡凸块与该基板之该导电焊垫间的接点寿命。14如申请专利范围第13项之结构,其中上述之导电焊垫系一覆晶接合焊垫,其至系包含铜。15.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之导线区域至少包含铜导线。16.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之焊锡掩模系一任意形状的焊锡掩模,且具有圆角以便加快该底胶的填充速度。17.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之焊锡掩模的放置位置,即其与该导电焊垫的距离,可以控制该焊锡凸块的形状与高度。18.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之焊锡掩模至少包含热烘烤硬化型环氧树酯。19.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之焊锡掩模至少包含紫外光烘烤硬化型丙醯酸醋酯。20.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之底胶至少包含聚亚醯胺。21.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之底胶至少包含矽胶。22.如申请专利范围第13项之结构,其中上述之底胶至少包含环氧树酯。图式简单说明:第一图为传统用于覆晶接合技术之电路基板结构的俯视图;第二图A为传统用于覆晶接合技术之电路基板结构的正剖面图;第二图B为传统用于覆晶接合技术之电路基板结构的侧剖面图;第三图为本发明一实施例的结构俯视图。第四图A为本发明之实施例的结构正剖面图;以及第四图B为本发明之实施例的结构侧剖面图。 |
