| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置(一种电子可抹除式及可程式唯读记忆体:EEPROM),包括:复数反向器,分别连接至复数字元线;一P型电压供应电路,供应在该等反向器中复数P通道电晶体源极之电位;一N型电压供应电路,供应该等反向器中复数N通道电晶体源极之电位;一读/写选择电路,决定该EEPROM操作在写入或读取模式;以及一抹除选择电路,决定该EEPROM是否操作在一抹除模式;其中,依据该读/写选择电路及该抹除选择电路之输出信号,该P电位供应电路输出一第一正电位、第二正电位及一零电位其中之一,该N电位供应电路输出一第三正电位、一零电位及一负电位其中之一。2.如申请专利范围第1项所述之EEPROM,其中:该P型电位供应电路包括:一正压充电泵电路,选择性地输出该正电位或零电位;两串连之N通道电晶体,其闸极分别连接至两类比切换器;其中,该等串连N通道电晶体之一端连接至该正压充电泵电路,而另一端则接地。3.如申请专利范围第1项所述之EEPROM,其中:该N型电位供应电路包括:一负压充电泵电路,选择性地输出该负电位或零电位;两串连之N通道电晶体,其闸极分别连接至两类比切换器;其中,该等串连N通道电晶体之一端连接至该负压充电泵电路,而另一端则连接至一抹除确认信号供应端。4.如申请专利范围第1项所述之EEPROM,其中:该等反向器中该等P通道电晶体之源极共同连接至该P型电位供应电路之一输出端;该等反向器中该等N通道电晶体之源极共同连接至该N型电位供应电路之一输出端。5.如申请专利范围第1项所述之EEPROM,其中:该等类比切换器系由一抹除指示信号驱动。6.一种EEPROM,包括:复数反向器,分别连接至复数字元线;一P型电压供应电路,供应在该等反向器中复数P通道电晶体源极之电位;复数N型电压供应电路,分别对应于该等反向器,且供应该等反向器中复数N通道电晶体源极之电位;一读/写选择电路,决定该EEPROM操作在写入或读取模式;以及一抹除选择电路,决定该EEPROM是否操作在一抹除模式;其中,依据该读/写选择电路及该抹除选择电路之输出信号,该P电位供应电路输出一第一正电位、第二正电位及一零电位其中之一,该等N电位供应电路输出一第三正电位、一零电位及一负电位其中之一;一计数器,依据用以做为一触发信号之该第三正电位而计算指定给该等字元线之数字,并依据该计数器之一输出驱动该等N型电位供应电路。图式简单说明:第一图系一旧式EEPROM之方块图。第二图系本发明第一实施例之EEPROM方块图。第三图系一正压充电泵电路方块图。第四图系一负压充电泵电路方块图。第五图系本发明第二实施例之EEPROM方块图。 |
