| 主权项 |
1.一种具覆晶结构之半导体封装件的底部填胶方法,系包括下列步骤:准备一具作用表面与非作用表面之晶片,将多数之焊锡凸块植接于该晶片之作用表面上;以覆晶方式使该晶片接置于一基板之上表面上,而令该焊锡凸块夹置于该晶片之作用表面与基板之上表面间,并由该晶片之作用表面与基板之上表面限定出一缝隙;接着,将一填胶用之针头移至接近该晶片之非作用表面与一侧表面之交界处;以及开始出胶,使自针头流出之胶液顺沿该晶片之侧表面流至该晶片之侧表面与作用表面之交界处,然后由该作用表面之导流及该缝隙产生之毛细作用,使该胶液流入并充填于该缝隙中。2.如申请专利范围第1项之底部填胶方法,其中,该针头具有倾斜出口,并于将针头移至接近晶片之非作用表面与侧表面之交界处之步骤中,其倾斜出口须面对该交界处。3.如申请专利范围第1项之底部填胶方法,其中,该针头具有向一侧斜出之头部,并于将针头移至接近晶片之非作用表面与侧表面之交界处之步骤中,其头部须面对该交界处。4.一种具覆晶结构之半导体封装件的底部填胶方法,系包括下列步骤:准备一具作用表面与非作用表面之第一晶片,将多数之焊锡凸块植接于该第一晶片之作用表面上;以覆晶方式使该第一晶片接置于一黏接于一基板之第二晶片的上表面上,而令该焊锡凸块夹置于该第一晶片之作用表面与第二晶片之上表面间,并由该第一晶片之作用表面与第二晶片之上表面限定出一缝隙;接着,将一填胶用之针头移至接近该第一晶片之非作用表面与一侧表面之交界处;以及开始出胶,使自针头流出之胶液顺沿该第一晶片之侧表面流至该第一晶片之侧表面与作用表面之交界处,然后由该作用表面之导流及该缝隙产生之毛细作用,使该胶液流入并充填于该缝隙中。5.如申请专利范围第4项之半导体封装件的底部填胶方法,其中,该针头具有倾斜出口,并于将针头移至接近第一晶片之非作用表面与侧表面之交界处之步骤中,其倾斜出口须面对该交界处。6.如申请专利范围第4项之半导体封装件的底部填胶方法,其中,该针头具有向一侧斜出之头部,并于将针头移至接近该第一晶片之非作用表面与侧表面之交界处之步骤中,其头部须面对该交界处。图式简单说明:第一图A至第一图C为一种习知之底部填胶之方法用于不同半导体封装件的剖面示意图;第二图为另一种习知之底部填胶方法之剖面示意图;第三图为显示另一种习知之底部填胶方法之剖面示意图;第四图A为显示本发明之底部填胶方法之实施例,其为有金线作电性连接之情形;第四图B为显示本发明之底部填胶方法之实施例,其为有其他被零件于基板上之情形;以及第五图A至第五图C为显示本发明之实施例中可使用之针头构形之图示。 |
